[發明專利]基于半導體碳納米管的級聯紅外光探測器

無效

• 申請號: 201210186935.4
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN102723348A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 王勝;彭練矛;曾慶圣;張志勇;楊雷靜
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/102;H01L31/0224;B82Y15/00
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200
• 代理人: 李稚婷

1.一種基于半導體碳納米管的級聯器件作為紅外光探測器的用途，所述級聯器件以半導體碳納米管作為吸光材料和導電通道，半導體碳納米管的兩端是非對稱的金屬電極：一端為鈀電極，另一端為鈧或釔電極；在所述非對稱的金屬電極之間的導電通道上具有n-1個虛電極對，將導電通道分為串聯在一起的n個單元器件；所述虛電極對由連在一起的鈀虛電極和鈧或釔虛電極組成，其中鈀虛電極在靠近鈧或釔電極一側，鈧或釔虛電極在靠近鈀電極一側，n為大于1的正整數；將所述非對稱的金屬電極中的一個接地，另一個與電壓測量電路或者電壓表連接；當紅外光照射該級聯器件時，所述半導體碳納米管吸收紅外光，產生的光電壓信號由所述電壓測量電路或電壓表測得。

2.如權利要求1所述的用途，其特征在于，所述半導體碳納米管是單根的半導體碳納米管，或者是由多根半導體碳納米管平行排列構成的碳納米管薄膜。

3.如權利要求1或2所述的用途，其特征在于，所述半導體碳納米管是本征半導體碳納米管。

4.如權利要求1或2所述的用途，其特征在于，所述單元器件的導電通道長度為1～2微米。

5.如權利要求1或2所述的用途，其特征在于，所述虛電極對中的鈀虛電極和鈧或釔虛電極之間部分重疊。

6.如權利要求1或2所述的用途，其特征在于，所述級聯器件由一層能透過紅外光的氧化物或者有機封裝材料包覆。

7.如權利要求6所述的用途，其特征在于，所述氧化物是氧化鉿或氧化硅。

8.如權利要求6所述的用途，其特征在于，所述有機封裝材料是聚甲基丙烯酸甲酯。