[發明專利]實現高溫高壓的連續流動型微流控芯片及其制備方法有效
| 申請號： | 201210186933.5 | 申請日： | 2012-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN102716771A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 謝飛;王寶軍;王瑋 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可聲 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實現 高溫 高壓 連續 流動 型微流控 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種連續流動型微流控芯片，其特征在于，包括入口、混合區、加熱區、增壓區和出口，各部分之間通過微流體通道依次連接；
所述混合區實現反應物的混合；
所述加熱區設有加熱電阻，提供高溫的反應環境；
所述增壓區為高流阻區，為所述加熱區提供高壓環境；
所述加熱區和和所述增壓區設有測溫傳感電阻。
2.如權利要求1所述的連續流動型微流控芯片，其特征在于，所述入口為兩個，分別輸入兩種參與反應的液體。
3.如權利要求1或2所述的連續流動型微流控芯片，其特征在于，所述混合區將所述加熱區與所述增壓區隔開。
4.如權利要求3所述的連續流動型微流控芯片，其特征在于，所述混合區與所述加熱區之間，以及所述混合區與所述增壓區之間設有隔熱槽。
5.如權利要求1所述的連續流動型微流控芯片，其特征在于，在連接所述加熱區與所述增壓區的通道上設有測溫傳感電阻，用于輔助了解所述微流控芯片的溫度分布。
6.如權利要求1所述的連續流動型微流控芯片，其特征在于，在所述增壓區設有加熱電阻，用于改變所述增壓區的壓強提升值。
7.如權利要求1、5或6所述的連續流動型微流控芯片，其特征在于，所述加熱電阻和所述傳感電阻為Pt電阻。
8.一種連續流動型微流控芯片的制備方法，其步驟包括：
1）對硅片進行光刻和DRIE刻蝕，定義微流體通道圖形；
2）通過硅-玻璃陽極鍵合制作混合區、加熱區和增壓區的微流體通道；
3）采用等離子體增強化學氣相沉積方法淀積SiO2，并在SiO2上剝離制作測溫傳感電阻和加熱電阻；
4）通過光刻和深反應離子刻蝕制作入口和出口。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，通過光刻和深反應離子刻蝕制作隔熱槽。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述入口處粘合有機玻璃模具。
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