[發(fā)明專利]LED芯片鍵合方法及LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210186840.2 | 申請日： | 2012-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN102694089A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 封飛飛;張昊翔;金豫浙;萬遠(yuǎn)濤;李東昇;江忠永 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;B23K35/26 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 芯片 方法 | ||
1.一種LED芯片鍵合方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底上順次形成有外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及第一鍵合層；
提供基板，所述基板上順次形成有第二粘結(jié)層、第二釬料阻擋層及第二鍵合層；
在第一鍵合層表面和/或第二鍵合層表面形成釬料層，所述釬料層的材料為金屬或者合金；
將所述襯底與基板貼合，其中，所述釬料層的表面為貼合面，直至所述釬料層完全擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第二鍵合層。
2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層的材料為熔點(diǎn)小于等于400℃的金屬或者含熔點(diǎn)小于400℃金屬的合金。
3.如權(quán)利要求1所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層的材料為Sn、In、Pb、Bi、SnxCu1-x、SnxPb1-x、BixSn1-x、PbxSbySn1-x-y、SnxAg1-x或SnxAgyCu1-x-y。
4.如權(quán)利要求1所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層擴(kuò)散至所述第一鍵合層及第二鍵合層后，形成混合層，所述混合層在600℃以下物化性能穩(wěn)定。
5.如權(quán)利要求4所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述混合層的材料為合金。
6.如權(quán)利要求5所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述混合層的材料為NixSn1-x、NixIn1-x、CuxSn1-x、CrxIn1-x或TixIn1-x。
7.如權(quán)利要求1所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述第一鍵合層及第二鍵合層的材料為Pt、Ni、Ti、Cu和Cr中的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述第一釬料阻擋層及第二釬料阻擋層的材料為Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一種或組合。
9.如權(quán)利要求1所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述第一粘結(jié)層和第二粘結(jié)層的材料為Ti、Cr或Ni。
10.如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層和第一粘結(jié)層之間還形成有反射鏡層和/或反射鏡阻擋層。
11.如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述釬料層、第一鍵合層、第二鍵合層、第一釬料阻擋層、第二釬料阻擋層、第一粘結(jié)層及第二粘結(jié)層均通過熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、濺射、電鍍或噴涂的方式形成。
12.如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的LED芯片鍵合方法，其特征在于，所述LED芯片的結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)或者倒裝結(jié)構(gòu)。
13.一種LED芯片，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底上的外延層、歐姆接觸層、第一粘結(jié)層、第一釬料阻擋層及混合層；
位于所述混合層上的第二釬料阻擋層、第二粘結(jié)層及基板。
14.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述混合層在600℃以下物化性能穩(wěn)定。
15.如權(quán)利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述混合層的材料為合金。
16.如權(quán)利要求15所述的LED芯片，其特征在于，所述混合層的材料為NixSn1-x、NixIn1-x、CuxSn1-x、CrxIn1-x或TixIn1-x。
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