[發明專利]一種碳微電極陣列結構的制備方法

有效

• 申請號: 201210186834.7
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN102730628A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 湯自榮;史鐵林;徐亮亮;龍胡;習爽;劉丹;夏奇;廖廣蘭
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青

1.?一種碳微電極陣列結構的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

(1)?光刻步驟：在基片上使用負膠進行光刻，得到光刻膠的陣列結構；

?(2)?沉積金屬步驟：在所得到的光刻膠的陣列結構上沉積至少一層金屬層；所述各金屬層為單金屬或合金；

(3)?熱解步驟：在保護氣體環境下進行熱解，得到表面集成了金屬納米褶皺結構的碳微結構。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述單金屬或合金的熔點為600℃至1500℃。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，保護氣體為惰性氣體，或者氮氣。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，熱解過程中，在保護氣體中混入氫氣，氫氣的體積百分比在10%以下。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，熱解時，最高溫度為600℃至1100℃。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，熱解通過單步、兩步或多步完成。

7.根據權利要求1至6中任一所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，光刻的具體過程為：

(1.1)清洗：光刻前清洗硅基片；

(1.2)勻膠：在清洗后的基片上涂覆光刻膠，然后利用勻膠機進行勻膠；勻膠結束后對勻膠后的基片進行前烘處理；

(1.3)曝光：將前烘處理后的基片在光刻機上使用掩膜版進行對準曝光，曝光后得到的基片再拿去進行中烘處理；

(1.4)顯影：在中烘處理后，對基片再進行顯影操作，待顯影充分后，進行后烘處理，得到光刻膠的陣列結構。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）所采用的光刻膠為SU-8負膠。