[發明專利]一種基于KTN晶體二次電光效應的激光偏轉調制方法

有效

• 申請號: 201210186725.5
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN102692734A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 王旭平;劉冰;王繼揚
• 申請（專利權）人: 山東省科學院新材料研究所
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105
• 代理人: 韓百翠

1.一種基于KTN晶體二次電光效應的激光偏轉調制方法，其特征是，

（1）以經過銅離子摻雜的立方相Cu:KTa_1-xNb_xO₃晶體為偏轉元件；所述晶體組分中Nb含量x為0.3~0.5；

（2）晶體偏轉元件按照晶面正對晶體結晶軸方向加工為長方體塊體，所述晶體的結晶軸為a、b、c軸，其中定義晶體生長方向為c軸；

（3）在KTN晶體樣品兩個相對的（010）晶面上制作金屬電極，所述金屬電極的制作方法為：先以離子濺射或真空蒸鍍的方法在晶面上鍍上一層金屬納米薄膜，后在金屬薄膜層上增涂銀導電膠；或者是僅在晶面上鍍上一層金屬納米薄膜，或者僅在晶面上涂銀導電膠；

（4）在高于KTN晶體居里點1~2℃精確控溫的條件下按照如下步驟實施激光偏轉：

i.施加平行于晶體b軸的電場；

ii??激光光束沿c軸入射；

iii.光束偏振方向調節至平行于電場方向偏振。

2.如權利要求1所述的基于KTN晶體二次電光效應的激光偏轉方法，其特征是，所述步驟（1）晶體中Cu²⁺離子摻雜重量百分比為0.1%至0.5%。

3.如權利要求1或2所述的基于KTN晶體二次電光效應的激光偏轉方法，其特征是，所述步驟（3）金屬電極的制作方法為：以離子濺射的方法在晶面上鍍上一層金屬納米薄膜，后在金屬薄膜層上增涂銀導電膠。

4.如權利要求1或2所述的基于KTN晶體二次電光效應的激光偏轉方法，其特征是，所述步驟（4）激光光束為532nm綠光或者633nm紅光。