[發明專利]一種金屬氧化物薄膜晶體基板及其制造方法和液晶顯示器有效
| 申請號: | 201210186458.1 | 申請日: | 2012-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN102723334A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 王杰;洪孟逸 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省南京市仙林大道科*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 氧化物 薄膜 晶體 及其 制造 方法 液晶顯示器 | ||
1.一種金屬氧化物薄膜晶體基板,位于玻璃基板上,其特征在于,包括:
數據線,包括:第一數據線、第二數據線、以及連接第一數據線和第二數據線的信號搭橋線;
柵線,與數據線交叉;
TFT元件,包括:位于柵線上的絕緣層、由信號搭橋線形成的源極、漏極、以及與柵線連接的柵極、以及位于源極和漏極之間的半導體層;
像素電極,與漏極連接;
保護層,位于半導體層上;其中,
所述半導體層位于絕緣層上。
2.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體基板,其特征在于,所述第一數據線、柵線、第二數據線、以及柵極均位于玻璃基板上。
3.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體基板,其特征在于,所述信號搭橋線、源極、柵極、以及像素電極均由透明導電膜材料制成。
4.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體基板,其特征在于,半導體層所用材料為ZnO或IGZO。
5.如權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體基板,其特征在于,所述保護層為蝕刻阻擋層,且所述保護層由SiO2材料制成。
6.如權利要求1所述的如權利要求7所述的金屬氧化物薄膜晶體基板的制造方法,其特征在于:還包括位于玻璃基板上的端子,所述端子上設有金屬導線層。
7.一種液晶顯示器,其特征在于:包括如權利要求1-6所述的金屬氧化物薄膜晶體基板基板和CF基板、以及位于金屬氧化物薄膜晶體基板基板和CF基板之間的液晶。
8.一種金屬氧化物薄膜晶體基板的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
10)在玻璃基板上形成一金屬層,接著在該金屬層上形成第一數據線、柵線、第二數據線、與柵線連接的柵極;
20)在形成上述圖案的基礎上形成一絕緣層,接著在該絕緣層上形成第二接觸孔與第三接觸孔;
30)在形成上述圖案的基礎上用沉積一層金屬線,接著形成信號搭橋線、源極、像素電極、第六接觸孔、漏極,所述信號搭橋線連接第一數據線和第二數據線,所述像素電極連接漏極;
40)在第六接觸孔內形成分別半導體層和保護層,所述半導體層的兩端分別與源極與漏極接觸;所述保護層位于半導體層上。
9.如權利要求8所述的金屬氧化物薄膜晶體基板的制造方法,其特征在于:所述第二接觸孔位于第一數據線上,所述第三接觸孔位于第二數據線上。
10.如權利要求8或9所述的金屬氧化物薄膜晶體基板的制造方法,其特征在于:所述信號搭橋線連接第二接觸孔和第三接觸孔。
11.如權利要求8所述的金屬氧化物薄膜晶體基板的制造方法,其特征在于:在所述步驟10)中,在玻璃基板上形成端子,在步驟20)中,形成位于端子上的第一接觸孔,在所述步驟30)中,在第一接觸孔內形成金屬導電層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





