[發(fā)明專利]改善污穢潮濕環(huán)境下輸電線路中絕緣子電位分布的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210186384.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102694358A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫定筠;呂景順;張凱;楊志華;喬立鳳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 甘肅省電力公司電力科學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào): | H02G7/00 | 分類號(hào): | H02G7/00 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11249 | 代理人: | 宋敏 |
| 地址: | 730000 甘肅*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改善 污穢 潮濕 環(huán)境 輸電 線路 絕緣子 電位 分布 方法 | ||
1.一種改善污穢潮濕環(huán)境下輸電線路中絕緣子電位分布的方法,其特征在于,包括:
a、基于所述架空輸電線路的歷史數(shù)據(jù),選取所述架空輸電線路的閃絡(luò)頻發(fā)段,并從該閃絡(luò)頻發(fā)段中選取使用量最大的:桿塔、導(dǎo)線、以及有機(jī)復(fù)合絕緣子和鋼化玻璃絕緣子串;
b、在潔凈干燥的理想環(huán)境下,采用三維模型作為有限元模型,并將步驟a所選取的桿塔和導(dǎo)線納入所述三維模型,并且通過零階漸近邊界條件設(shè)置人工邊界將無限大范圍截?cái)酁橛邢迏^(qū)域,其中:人工邊界的尺寸以所述有機(jī)復(fù)合絕緣子和鋼化玻璃絕緣子串的周圍電場(chǎng)幾乎不再隨場(chǎng)域邊界的擴(kuò)大而改變?yōu)闇?zhǔn),從而利用有限元數(shù)值計(jì)算方法:(1)仿真分析步驟a所選取的有機(jī)復(fù)合絕緣子的:表面電位沿泄漏距離的分布、表面電位分布云圖、表面電場(chǎng)強(qiáng)度沿泄漏距離的分布、表面電場(chǎng)強(qiáng)度分布云圖、表面最大電場(chǎng)強(qiáng)度隨均壓環(huán)管徑變化的規(guī)律、均壓環(huán)表面最大電場(chǎng)強(qiáng)度隨均壓環(huán)管徑變化的規(guī)律,和表面電場(chǎng)強(qiáng)度最大值與均壓環(huán)環(huán)徑及均壓環(huán)罩入深度之間的關(guān)系,以及平均電場(chǎng)強(qiáng)度沿泄漏距離的分布;(2)對(duì)于所述步驟a所選取的鋼化玻璃絕緣子串,仿真分析:當(dāng)取不同片數(shù)的所述鋼化玻璃絕緣子串時(shí),在靠近高、低壓側(cè)的電壓承擔(dān)率與片數(shù)的關(guān)系;當(dāng)取不同片數(shù)的所述鋼化玻璃絕緣子串時(shí),鋼化玻璃絕緣子串的電位分布云圖;
c、在覆蓋有均勻污層且各處受潮程度相同的理想污穢潮濕環(huán)境下,基于步驟b所采用的所述有限元模型和設(shè)置的所述人工邊界,進(jìn)一步為所述有限元模型添加一個(gè)二維表面單元,用以模擬所述理想污穢潮濕環(huán)境,其中,所述二維表面單元被賦予污層電導(dǎo)率,在整個(gè)有限元模型中忽略所述二維表面單元的物理厚度,從而利用有限元數(shù)值計(jì)算方法:(I)仿真分析不同污層電導(dǎo)率下,步驟a所選取的有機(jī)復(fù)合絕緣子的:表面電位沿泄漏距離的分布同污層電導(dǎo)率之間的關(guān)系、表面電場(chǎng)強(qiáng)度法向分量沿泄漏距離的分布同污層電導(dǎo)率之間的關(guān)系、表面電場(chǎng)強(qiáng)度切向分量沿泄漏距離的分布同污層電導(dǎo)率之間的關(guān)系、不同污層電導(dǎo)率時(shí)表面電場(chǎng)強(qiáng)度的分布云圖,和表面電場(chǎng)強(qiáng)度的最大值及其法向、切向分量最大值同污層電導(dǎo)率之間的關(guān)系;(II)對(duì)于所述步驟a所選取的鋼化玻璃絕緣子串,仿真分析:當(dāng)取不同片數(shù)的所述鋼化玻璃絕緣子串時(shí),在不同污層電導(dǎo)率時(shí),在靠近高、低壓側(cè)的電壓承擔(dān)率與片數(shù)和污層電導(dǎo)率的關(guān)系;當(dāng)取不同片數(shù)的所述鋼化玻璃絕緣子串時(shí),在不同污層電導(dǎo)率時(shí),鋼化玻璃絕緣子串的電位分布云圖;
d、搭建物理試驗(yàn)平臺(tái)以便分別在潔凈干燥和人工覆著均勻污穢狀態(tài)下對(duì)所述有機(jī)復(fù)合絕緣子、鋼化玻璃絕緣子串進(jìn)行試驗(yàn),所述物理試驗(yàn)平臺(tái)如下:試驗(yàn)變壓器一次側(cè)連接交流電源,試驗(yàn)變壓器二次側(cè)連接保護(hù)電阻和試品絕緣子串聯(lián)組成的電路,其中試品絕緣子并聯(lián)有交流電容分壓器;試驗(yàn)過程中所述試品絕緣子的兩端電壓通過交流電容分壓器測(cè)量;所述試品絕緣子包括所述有機(jī)復(fù)合絕緣子和所述鋼化玻璃絕緣子串;所述試品絕緣子懸吊于模擬金屬塔架,所述模擬金屬塔架按照所述架空輸電線路中的桿塔做1:1模擬,所述試品絕緣子懸吊位置按照所述架空輸電線路實(shí)際情況做1:1模擬;
e、對(duì)比步驟d中的物理試驗(yàn)平臺(tái)在潔凈干燥和人工覆著均勻污穢狀態(tài)下所得模擬結(jié)果和步驟b、c所得的在理想環(huán)境和理想污穢潮濕環(huán)境下的仿真分析結(jié)果,基于模擬結(jié)果與仿真分析結(jié)果的吻合程度,確定上述步驟b、c所得仿真分析結(jié)果和步驟d所得模擬結(jié)果的權(quán)重系數(shù),綜合步驟b、c和d所得的結(jié)果,調(diào)用相應(yīng)的改善電位策略。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善污穢潮濕環(huán)境下輸電線路中絕緣子電位分布的方法,其特征在于,步驟b和c中的有限元模型均采用如下剖分法:先對(duì)所述有機(jī)復(fù)合絕緣子和鋼化玻璃絕緣子串縱向界面進(jìn)行面剖分,再以所述有機(jī)復(fù)合絕緣子和鋼化玻璃絕緣子中心線為軸環(huán)繞整個(gè)有機(jī)復(fù)合絕緣子、鋼化玻璃絕緣子串進(jìn)行體剖分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善污穢潮濕環(huán)境下輸電線路中絕緣子電位分布的方法,其特征在于,模型中桿塔的參數(shù)設(shè)置以實(shí)際線路中參數(shù)為準(zhǔn),模型中導(dǎo)線長(zhǎng)度的取值以減小導(dǎo)線兩端對(duì)絕緣子周圍電場(chǎng)的影響為準(zhǔn)。
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