[發明專利]光感測裝置、驅動方法、以及光學觸摸屏裝置

有效

• 申請號: 201210186006.3
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN102997993A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 安承彥;宋利憲;田尚勛;金暎;全镕宇;金昌楨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01J1/44
• 分類號: G01J1/44;G06F3/042;G09G3/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種光感測裝置，包括：

光傳感器晶體管，用于感測光；

開關晶體管，用于輸出來自光傳感器晶體管的光感測信號；

柵極線，被連接到開關晶體管的柵極；

復位線，被連接到光傳感器晶體管的柵極；以及

相位反轉器，被連接在復位線和柵極線之間，

其中，將具有反轉相位的信號同時分別施加于開關晶體管和光傳感器晶體管。

2.如權利要求1所述的光感測裝置，其中，相位反轉器的輸入端被連接到柵極線，而它的輸出端被連接到復位線。

3.如權利要求1所述的光感測裝置，其中，開關晶體管和光傳感器晶體管被串行連接。

4.如權利要求1所述的光感測裝置，其中，光傳感器晶體管包括包含氧化物半導體作為溝道層材料的氧化物半導體晶體管。

5.如權利要求4所述的光感測裝置，其中，氧化物半導體晶體管包括：

基板；

柵極，被部分布置在基板上；

柵極絕緣薄膜，被布置在基板和柵極上以覆蓋至少柵極；

溝道層，被布置在柵極絕緣薄膜上以面向柵極并且由氧化物半導體材料組成；

源極和漏極，被布置為覆蓋溝道層的相反側；以及

透明絕緣層，被布置以覆蓋源極、漏極和溝道層。

6.如權利要求5所述的光感測裝置，其中，氧化物半導體材料包括ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnO或InSnO，或者這些氧化物半導體材料與包含鉿（Hf）、鋯（Zr）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、鎵（Ga）、鈮（Nb）、釩（V）、鋁（Al）和錫（Sn）的組中的至少之一的混合材料。

7.一種光感測裝置，包括：

光感測像素陣列，包括按照行和列排列的多個光感測像素；

柵極驅動器，用于向光感測像素提供具有反轉相位的柵極電壓和復位信號；

信號輸出單元，用于從光感測像素接收光感測信號并輸出數據信號，

其中，光感測像素中的每一個包括用于感測光的光傳感器晶體管以及用于輸出來自光傳感器晶體管的光感測信號的開關晶體管，其中柵極驅動器包括：

多條柵極線，被連接到開關晶體管的柵極；

多條復位線，被連接到光傳感器晶體管的柵極；以及

多個相位反轉器，每個被連接在相應的復位線和柵極線之間。

8.如權利要求7所述的光感測裝置，其中，相位反轉器的輸入端被連接到相應的柵極線，而它的輸出端被連接到相應的復位線。

9.如權利要求8所述的光感測裝置，其中，具有反轉相位的柵極電壓和復位信號同時分別被施加于同一行中的開關晶體管和光傳感器晶體管。

10.如權利要求8所述的光感測裝置，其中，柵極線被直接連接到柵極驅動器，而復位線經由相位反轉器和柵極線被間接連接到柵極驅動器。

11.如權利要求7所述的光感測裝置，其中，同一行中的開關晶體管和光傳感器晶體管被串行連接。

12.如權利要求7所述的光感測裝置，其中，柵極線中的每一條和復位線中的每一條被連接到同一行中的光感測像素。

13.如權利要求7中的光感測裝置，其中，信號輸出單元包括按照列方向排列的多條數據線。

14.如權利要求13所述的光感測裝置，其中，數據線中的每一條被連接到在同一列中排列的光感測像素，其中數據線中的每一條被連接到同一列中的光感測像素的開關晶體管的源極。

15.如權利要求7所述的光感測裝置，其中，光傳感器晶體管包括包含氧化物半導體作為溝道層材料的氧化物半導體晶體管。