[發明專利]半導體結構

有效

• 申請號: 201210185724.9
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN103474549A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 朱鈞;張淏酥;朱振東;李群慶;金國藩;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/20;H01L31/0216
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• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體結構，其包括：依次層疊設置的一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層，其特征在于：進一步包括一金屬陶瓷層，其設置于所述第二半導體層遠離所述活性層的表面且接觸設置。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬陶瓷層為金屬材料和電介質材料構成的復合材料層。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬陶瓷層中所述電介質材料所占的質量百分比小于等于40%。

4.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬材料為金、銀、鋁、銅、金銀合金、金鋁合金或銀鋁合金。

5.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述電介質材料包括二氧化硅、硅以及陶瓷材料中的一種。

6.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬陶瓷層為二氧化硅和銀的復合材料層

如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬陶瓷層中所述二氧化硅所占的質量百分比為20%。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，進一步包括多個三維納米結構設置于所述第一半導體層、活性層、第二半導體層、金屬陶瓷層的表面。

8.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述三維納米結構包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱與第二凸棱并排延伸，相鄰的第一凸棱與第二凸棱之間具有一第一凹槽，相鄰的三維納米結構之間形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

9.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，每個三維納米結構沿其延伸方向上的橫截面為M形。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構為一太陽能電池。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構為一波導管。

12.一種半導體結構，其包括：依次層疊設置的一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層，其特征在于：進一步包括一保護層，該保護層設置于所述第二半導體層遠離基底的表面，以及一金屬陶瓷層設置于所述保護層遠離所述活性層的表面且接觸設置。

13.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層的材料為二氧化硅、氟化鎂或氟化鋰。

14.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層的厚度為5納米至40納米。

15.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層的折射率的范圍為1.2至1.5。

16.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于，進一步包括多個三維納米結構設置于所述保護層的表面。