[發明專利]半導體結構

有效

• 申請號: 201210185722.X
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN103474548A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 張淏酥;朱鈞;李群慶;金國藩;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/20;H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體結構，其包括：

一有源層，包括依次層疊設置的一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層；其特征在于，進一步包括

一第三光學對稱層設置于所述第二半導體層遠離基底的表面并接觸設置，所述第三光學對稱層的折射率的范圍為1.2至1.5；

一金屬層設置于所述第三光學對稱層遠離基底的表面并接觸設置；

一第四光學對稱層設置于所述金屬層遠離基底的表面并接觸設置，所述第四光學對稱層的折射率的范圍為1.2至1.5；以及

一第一光學對稱層設置于所述第四光學對稱層遠離基底的表面并接觸設置，所述第一光學對稱層的折射率n₁與所述緩沖層和有源層的整體的等效折射率n₂的差值?n₁小于等于0.3，其中?n₁=|n₁-n₂|。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬層的材料為金、銀、鋁、銅、金銀合金、金鋁合金或銀鋁合金。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第三光學對稱層的折射率與第四光學對稱層的折射率一致。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第三光學對稱層或所述第四光學對稱層的厚度為5納米至40納米。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一光學對稱層的折射率的范圍為2.2至2.8。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一光學對稱層的材料為二氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯、聚酰亞胺或者三氧化二釔。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一光學對稱層的厚度與有源層的整體厚度一致。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構進一步包括多個三維納米結構，所述三維納米結構設置于金屬層分別與第三光學對稱層和第四光學對稱層接觸的表面。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構進一步包括多個三維納米結構，所述三維納米結構設置于第一半導體層、活性層、第二半導體層、第三光學對稱層、金屬層、第四光學對稱層、第一光學對稱層以及第二光學對稱層的表面。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，所述多個三維納米結構并排延伸，每一所述三維納米結構包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱與第二凸棱并排延伸，相鄰的第一凸棱與第二凸棱之間具有一第一凹槽，相鄰的三維納米結構之間形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

11.如權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，每個三維納米結構沿其延伸方向上的橫截面為M形。

12.一種半導體結構，其包括：

一基底；

一有源層設置于所述基底的一表面；

其特征在于：進一步包括

一第三光學對稱層設置于所述有源層遠離基底的一側，所述第三光學對稱層的折射率的范圍為1.2至1.5；

一金屬層設置于所述第三光學對稱層遠離基底的一側；

一第四光學對稱層設置于所述金屬層遠離基底的一側，所述第四光學對稱層的折射率的范圍為1.2至1.5；以及

一第一光學對稱層設置于所述第四光學對稱層遠離基底的一側，所述第一光學對稱層180的折射率n₁與所述緩沖層116和有源層的整體的等效折射率n₂的差值?n₁于等于0.3，其中?n₁=|n₁-n₂|；

一第二光學對稱層設置于所述第一光學對稱層遠離基底的表面，第二光學對稱層190的折射率n₃與基底110的折射率n₄之差?n₂小于等于0.1，其中?n₂=|n₃-n₄|。

13.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，所述第一光學對稱層的厚度與有源層的整體厚度一致。