[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201210185706.0
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN103474545A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 朱鈞;張淏酥;朱振東;李群慶;金國藩;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光二極管。

背景技術

由氮化鎵半導體材料制成的高效藍光、綠光和白光半導體結構具有壽命長、節能、綠色環保等顯著特點，已被廣泛應用于大屏幕彩色顯示、汽車照明、交通信號、多媒體顯示和光通訊等領域，特別是在照明領域具有廣闊的發展潛力。

傳統的發光二極管通常包括一基底、N型半導體層、P型半導體層、設置在N型半導體層與P型半導體層之間的活性層、設置在P型半導體層上的P型電極(通常為透明電極)以及設置在N型半導體層上的N型電極。所述N型半導體層、活性層以及P型半導體層依次層疊設置在基底表面。所述P型半導體層遠離基底的表面作為發光二極管的出光面。發光二極管處于工作狀態時，在P型半導體層與N型半導體層上分別施加正、負電壓，這樣，存在于P型半導體層中的空穴與存在于N型半導體層中的電子在活性層中發生復合而產生光，光從發光二極管中射出。然而，來自活性層的近場倏逝光波在向外輻射的過程中均由于迅速衰減而無法出射，從而被限制在半導體結構的內部，被半導體結構內的材料完全吸收，影響了半導體結構的出光率。

發明內容

綜上所述，確有必要提供一種光取出效率較高的發光二極管。

一種發光二極管，其包括：一第一半導體層，所述第一半導體層具有相對的一第一表面及一第二表面；一活性層及一第二半導體層依次層疊設置于所述第一半導體層的第二表面，所述第一半導體層、活性層以及第二半導體層構成一有源層；一第一電極覆蓋所述第一半導體層的第一表面；一第二電極與所述第二半導體層電連接；一金屬陶瓷層設置于所述第二半導體層遠離活性層的表面并接觸。

與現有技術相比，本發明提供的發光二極管具有以下有益效果：由活性層產生的近場倏逝波到達金屬陶瓷層后，在金屬陶瓷層的作用下產生金屬等離子體，金屬等離子體向周圍傳播并經由金屬陶瓷層出射成為出射光，如此，可使活性層中的近場倏逝波出射，并耦合成為可見光。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例提供的半導體結構的結構示意圖。

圖2為本發明第二實施例提供的半導體結構的結構示意圖。

圖3為本發明第三實施例提供的半導體結構的結構示意圖。

圖4為本發明第四實施例提供的半導體結構的結構示意圖。

圖5為圖4中的半導體結構中形成有三維納米結構的第二半導體層的結構示意圖。

圖6為圖4中的半導體結構中形成有三維納米結構的第二半導體層的掃描電鏡示意圖。

圖7為本發明第五實施例提供的發光二極管的結構示意圖。

圖8為本發明第六實施例提供的制備圖7中的發光二極管的工藝流程圖。

圖9為本發明第七實施例提供的發光二極管的結構示意圖。

圖10為本發明第八實施例提供的制備圖9中的發光二極管的工藝流程圖。

圖11為本發明第九實施例提供的發光二極管的結構示意圖。

圖12為本發明第十一實施例提供的發光二極管的結構示意圖。

圖13為本發明第十二實施例提供的太陽能電池的結構示意圖。

圖14為本發明第十三實施例提供的波導管的結構示意圖。

圖15為本發明第一實施例提供的發光二極管的增強因子和頻率的關系圖。

主要元件符號說明