[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210185696.0
• 申請日: 2012-06-07
• 公開（公告）號: CN103474522A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱鈞;張淏酥;朱振東;李群慶;金國藩;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的制備方法。

背景技術(shù)

由氮化鎵半導(dǎo)體材料制成的高效藍光、綠光和白光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有壽命長、節(jié)能、綠色環(huán)保等顯著特點，已被廣泛應(yīng)用于大屏幕彩色顯示、汽車照明、交通信號、多媒體顯示和光通訊等領(lǐng)域，特別是在照明領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

傳統(tǒng)的發(fā)光二極管通常包括一基底、N型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層、設(shè)置在N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層之間的活性層、設(shè)置在P型半導(dǎo)體層上的P型電極(通常為透明電極)以及設(shè)置在N型半導(dǎo)體層上的N型電極。所述N型半導(dǎo)體層、活性層以及P型半導(dǎo)體層依次層疊設(shè)置在基底表面。所述P型半導(dǎo)體層遠離基底的表面作為發(fā)光二極管的出光面。發(fā)光二極管處于工作狀態(tài)時，在P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層上分別施加正、負電壓，這樣，存在于P型半導(dǎo)體層中的空穴與存在于N型半導(dǎo)體層中的電子在活性層中發(fā)生復(fù)合而產(chǎn)生光，光從發(fā)光二極管中射出。然而，來自活性層的近場倏逝光波在向外輻射的過程中均由于迅速衰減而無法出射，從而被限制在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，被半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)的材料完全吸收，影響了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的出光率。

發(fā)明內(nèi)容

綜上所述，確有必要提供一種光取出效率較高的發(fā)光二極管的制備方法。

一種發(fā)光二極管的制備方法，其包括以下步驟：步驟a：提供一基底，該基底具有一外延生長面；步驟b：在基底的外延生長面依次外延生長一第一半導(dǎo)體層、一活性層以及一第二半導(dǎo)體層；步驟c：形成一金屬陶瓷層于所述第二半導(dǎo)體層遠離基底的一側(cè)；步驟d：去除所述基底，暴露出所述第一半導(dǎo)體層與基底接觸的表面；以及步驟e：在所述第一半導(dǎo)體層暴露的表面制備一第一電極，制備一第二電極與所述第二半導(dǎo)體層電連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管的制備方法具有以下有益效果：本發(fā)明制備的發(fā)光二極管在使用過程中，由活性層產(chǎn)生的近場倏逝波到達金屬陶瓷層后，在金屬陶瓷層的作用下產(chǎn)生金屬等離子體，金屬等離子體向周圍傳播并經(jīng)由金屬陶瓷層出射成為出射光，如此，可使活性層中的近場倏逝波出射，并耦合成為可見光。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明第二實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明第三實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明第四實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為圖4中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成有三維納米結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為圖4中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成有三維納米結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層的掃描電鏡示意圖。

圖7為本發(fā)明第五實施例提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本發(fā)明第六實施例提供的制備圖7中的發(fā)光二極管的工藝流程圖。

圖9為本發(fā)明第七實施例提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為本發(fā)明第八實施例提供的制備圖9中的發(fā)光二極管的工藝流程圖。

圖11為本發(fā)明第九實施例提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12為本發(fā)明第十一實施例提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13為本發(fā)明第十二實施例提供的太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖14為本發(fā)明第十三實施例提供的波導(dǎo)管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖15為本發(fā)明第一實施例提供的發(fā)光二極管的增強因子和頻率的關(guān)系圖。

主要元件符號說明