[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210185685.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103474521A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱鈞;張淏酥;朱振東;李群慶;金國(guó)藩;范守善
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/44
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底，該基底具有一外延生長(zhǎng)面；

在基底的外延生長(zhǎng)面依次外延生長(zhǎng)一第一半導(dǎo)體層、一活性層以及一第二半導(dǎo)體層；

在所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的表面設(shè)置一第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層；

在所述第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層遠(yuǎn)離基底的表面設(shè)置一金屬等離子體產(chǎn)生層；

在所述金屬等離子體產(chǎn)生層遠(yuǎn)離基底的表面形成一第二光學(xué)對(duì)稱(chēng)層；

去除所述基底，暴露出所述第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離活性層的表面；

設(shè)置一第一電極覆蓋所述第一半導(dǎo)體層暴露的表面；以及

設(shè)置一第二電極與第二半導(dǎo)體層電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述金屬等離子體產(chǎn)生層的材料為金屬或金屬陶瓷。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述金屬等離子體產(chǎn)生層的制備方法為蒸鍍或?yàn)R射。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述金屬陶瓷層的厚度為10納米至30納米。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在設(shè)置第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層之前進(jìn)一步包括在第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離活性層的表面形成多個(gè)三維納米結(jié)構(gòu)的步驟。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)的形成方法包括以下步驟：

在所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的表面設(shè)置一圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層包括多個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)并排延伸，相鄰的條形凸起結(jié)構(gòu)之間形成一溝槽，所述第二半導(dǎo)體層通過(guò)該溝槽暴露出來(lái)；

刻蝕所述第二半導(dǎo)體層，在所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的表面形成多個(gè)凹槽，使所述掩模層中相鄰的多個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)依次兩兩閉合；以及，

去除所述掩模層，在所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的表面形成多個(gè)三維納米結(jié)構(gòu)，從而形成一圖案化的表面。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述刻蝕第二半導(dǎo)體層的過(guò)程中，掩模層中相鄰兩個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)的頂端逐漸靠在一起，使所述多個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)依次兩兩閉合，在所述相鄰兩個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)閉合的過(guò)程中，對(duì)應(yīng)閉合位置處的第一半導(dǎo)體層被刻蝕的速度小于未閉合位置處第二半導(dǎo)體層被刻蝕的速度。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述閉合的兩個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)之間的第二半導(dǎo)體層表面形成一第一凹槽，未閉合的相鄰的兩個(gè)條形凸起結(jié)構(gòu)之間的第二半導(dǎo)體層表面形成一第二凹槽，且所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，形成所述三維納米結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述多個(gè)三維納米結(jié)構(gòu)的表面形成所述第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層，且所述第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層的起伏趨勢(shì)與所述三維納米結(jié)構(gòu)的起伏趨勢(shì)相同。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述金屬等離子體產(chǎn)生層以及第二光學(xué)對(duì)稱(chēng)層依次形成于第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層的表面，且所述金屬等離子體產(chǎn)生層以及第二光學(xué)對(duì)稱(chēng)層的起伏趨勢(shì)分別與所述三維納米結(jié)構(gòu)相同。

11.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述多個(gè)三維納米結(jié)構(gòu)的表面形成所述第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層，且所述第一光學(xué)對(duì)稱(chēng)層遠(yuǎn)離第二半導(dǎo)體層的表面形成一平面。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在生長(zhǎng)活性層之前進(jìn)一步包括一在所述第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的表面形成多個(gè)三維納米結(jié)構(gòu)的步驟。

13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步包括一在所述暴露的第一半導(dǎo)體層表面形成一反射層的步驟，所述反射層設(shè)置于第一半導(dǎo)體層及第一電極之間。