[發明專利]低頻寬帶電磁波吸波結構無效
| 申請號: | 201210184823.5 | 申請日: | 2012-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN102717540A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 鄧龍江;張輝彬;陳良;周佩珩;謝建良;陸海鵬;梁迪飛 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | B32B3/24 | 分類號: | B32B3/24;B32B15/08;B32B27/06;B32B33/00 |
| 代理公司: | 成都惠迪專利事務所 51215 | 代理人: | 劉勛 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低頻 寬帶 電磁波 結構 | ||
技術領域
本發明屬于電子材料技術領域。
背景技術
自二戰以來,雷達吸波體已經成為各個國家的研究重點。特別是由于隱身技術的發展,雷達吸波材料作為提高武器系統生存能力和突防能力的有效手段,首先在軍事方面得到重視。目前,已有很多電子設備滲透到現實生活中的各個領域。這些電子設備輻射電磁波到環境中,造成嚴重的污染,例如,電磁干涉電磁兼容以及一系列危害生物的電磁波污染。因此雷達吸波材料也在信息傳播、電子器件、微波輻射防護等民用方面得到廣泛的運用。
結構型雷達吸波體,可以由泡沫等輕質材料加入吸收劑構成,而且可以多層疊加實現寬頻帶吸波,因而具有輕質寬頻的優點。但是多層結構雷達吸波體厚度通常較厚,所占空間較大;而其單層結構很難實現寬頻帶吸波的效果。典型的Salisbury吸波屏,可以由泡沫表面加載電阻膜構成,其厚度為中心工作頻率處波長的四分之一。將其表面電阻膜做成頻率選擇表面圖案,則可以調節其工作頻帶。通常所用到的圖案有方形、十字形、方環等。但這些圖案受限于本身特點,在低頻段(厚度小于四分之一波長的頻帶)只有一個吸收峰,很難實現低頻寬帶的吸波效果。因此在不改變材料以及吸波體厚度的前提下,拓展雷達吸波體低頻段吸收帶寬的問題成為當前電磁波吸波技術領域的一個急需解決的技術問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種電磁吸波結構,在低頻段(厚度小于四分之一波長的頻帶)具有雙峰吸收,以達到低頻段寬頻吸波的效果。
本發明解決所述技術問題采用的技術方案是,低頻寬帶電磁波吸波結構,其特征在于,在金屬底板上設置有吸波結構層,所述吸波結構層包括多個相同的吸波單元,每個吸波單元由泡沫材料層和設置于泡沫材料上的方形電阻膜構成;所述方形電阻膜和泡沫材料皆為正方形,方形電阻膜內設有一個正方形的孔,孔的邊與方形電阻膜的邊平行,并且孔的中心點、電阻膜的中心點和泡沫材料的中心點重合;方形電阻薄膜沿對角線設置有4條縫隙。泡沫材料為輕質聚甲基丙烯酰亞胺泡沫。
本發明具有如下突出優點:工藝簡單、可操作性強,成本較低;所用材料主要為泡沫,因此密度極??;在低頻段具有吸波雙峰,低頻吸波頻帶較寬;通過合理調整該圖案的尺寸及泡沫厚度,可以調整該電磁吸波結構的吸波頻段。
附圖說明
圖1是本發明的整體結構示意圖。
圖2是本發明的吸波單元結構示意圖。
具體實施方式
本實施方式一共包括3層:底層為金屬平板,中間層為輕質泡沫材料,表層為周期性電阻膜。其中泡沫層的介電常數及磁導率約為1。
制備方法采用絲網印刷的方法,在一定厚度的泡沫材料表層刷上碳黑漿料,使其表層具有一定的方阻并形成特定的圖案。
以下實施例中,泡沫材料邊長為a,方形電阻薄膜的邊長為l,孔的邊長為w,縫隙寬度為e,泡沫材料厚度為d。
實施例1:
本實施例是在5mm厚泡沫表面印刷周期性梯形圖案的電阻膜。單元尺寸a=25mm,l=23mm,w=11mm,e=1mm,d=5mm。其中電阻膜的方阻為60Ω/□。
實驗表明,本實施例在垂直入射TE或TM波情況下,在6.6GHz和11GHz出現兩個較大的吸收峰,其-10dB吸波頻段為5.4GHz~12.4GHz,而-15dB吸波頻段為5.8GHz~11.8GHz。
實施例2:
本實施例是在5mm厚泡沫表面印刷周期性梯形圖案的電阻膜。單元尺寸a=25mm,l=20mm,w=11mm,e=1mm,d=5mm。其中電阻膜的方阻為60Ω/□。
實驗表明,本實施例在垂直入射TE或TM波情況下,在6.6GHz和11GHz出現兩個較大的吸收峰,其-10dB吸波頻段為6.8GHz~12.4GHz。
實施例3:
本實施例是在5mm厚泡沫表面印刷周期性梯形圖案的電阻膜。單元尺寸a=25mm,l=23mm,w=8mm,e=1mm,d=5mm。其中電阻膜的方阻為60Ω/□。
實驗表明,本實施例在垂直入射TE或TM波情況下,在6.6GHz和11GHz出現兩個較大的吸收峰,其-10dB吸波頻段為5.4GHz~10.8GHz。
實施例4:
本實施例是在5mm厚泡沫表面印刷周期性梯形圖案的電阻膜。單元尺寸a=25mm,l=23mm,w=8mm,e=4mm,d=5mm。其中電阻膜的方阻為60Ω/□。
實驗表明,本實施例在垂直入射TE或TM波情況下,在6.6GHz和11GHz出現兩個較大的吸收峰,其-10dB吸波頻段為6GHz~12.4GHz。
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