[發明專利]一種聲表面波元件的制備方法

無效

• 申請號: 201210184716.2
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN102694518A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 林波
• 申請（專利權）人: 臺州歐文電子科技有限公司
• 主分類號: H03H3/08
• 分類號: H03H3/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及聲表面波技術領域，尤其涉及一種聲表面波元件的制備方法。

背景技術

聲表面波元件是利用聲表面波對電信號進行模擬處理的器件。聲表面波器件主要由具有壓電特性的基底材料和在該材料的拋光面上制作的由金屬薄膜組成的換能器組成。如果在換能器兩端加入高頻電信號，則壓電基底材料表面會產生機械振動并同時激發出與外加電信號頻率相同的表面聲波，這種表面聲波沿基底材料表面傳播，并被另一個換能器接收后被轉換為電信號。

現有的聲表面波元件為通過將具有特定拓撲圖案的蝕刻于基底材料上而構成，然而由于聲表面波元件上的拓撲圖案尺寸較小，通常為微米級別，采用常規的蝕刻工藝造成其精度降低且不良率升高。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述不足，提出一種制備工藝精度較高、良品率高的聲表面波元件的制備方法。

本發明解決其技術問題采用的技術方案是，提出一種聲表面波元件的制備方法，其包括步驟：

S1：真空磁控濺射鍍膜；真空磁控濺射鍍膜時，真空度控制在1.2X10^-7至2x10^-7乇，加熱溫度最高為400℃，濺射速度為1.2um/min；

S2：均勻涂感光膠；

S3：光刻。

進一步地，步驟S2中先將滴上感光膠后的基片先低速旋轉，使膠在基片表面勻開后再高速旋轉，旋轉速度為每分鐘8千至1萬2轉。

進一步地，光刻包括曝光、顯影和腐蝕步驟；曝光步驟中曝光時間為2-5分鐘，曝光級數為7-10級，曝光時真空度為85％-99％；顯影時顯影液為濃度為2％-5％的碳酸鉀溶液，顯影溫度為28至32℃，顯影時間為10至50秒，噴淋壓力為0.5至1.5kg/cm²；腐蝕步驟中腐蝕液為高錳酸鉀腐蝕液，其組分為350-450毫升的水、17-20克的高錳酸鉀以及3-9克的氫氧化鈉，腐蝕溫度為32-45℃。

進一步地，在顯影和腐蝕步驟之間還包括堅膜步驟，堅膜步驟中將顯影后的基片放入真空烘烤箱中烘烤，烘烤溫度為感光膠玻璃化溫度范圍下限以下7-12℃，烘烤時間為5-10分鐘。

進一步地，還包括修頻步驟，在修頻步驟中，先將光刻后的基片放置于等離子體刻蝕機真空室內，當真空室內抽真空后，充入反應氣體使得真空室的壓強升至5-7帕后加射頻電壓。

進一步地，反應氣體由CF₄和氧氣混合而成的氣體，其中CF₄占80％質量比，氧氣占20％質量比；射頻功率優選為380至420瓦。

本發明通過采用特殊工藝制備聲表面元件，通過控制生產精度和生產環境使得聲表面波元件的良品率在大規模生產時能達到95％以上，節約材料且便于大規模化推廣和應用。

附圖說明

圖1為本發明聲表面元件制備方法的工藝流程圖。

具體實施方式

以下是本發明的具體實施例并結合附圖，對本發明的技術方案作進一步的描述，但本發明并不限于這些實施例。

本發明聲表面波元件的制備方法流程圖如圖1所示。本發明聲表面波元件的制備方法包括步驟：

S1：真空磁控濺射鍍膜。

鍍膜是指將金屬均勻附著于基片上的步驟。本發明中不采用常規的蒸發真空鍍膜的方法，而采用真空磁控濺射鍍膜方法，其相比常規蒸發真空鍍膜具有成膜速率高、基片溫度低、膜的粘附性好、可實現大面積鍍膜的優點。

真空磁控濺射鍍膜的原理為：氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子或靶材分子沉積在基片上成膜。靶材的材料根據聲表面波元件基片表面上的換能器的材料而選取。

本實施例中，真空磁控濺射鍍膜時，真空度控制在1.2X10^-7至2x10^-7乇，加熱溫度最高為400℃，濺射速度為1.2um/min。使得通過真空磁控濺射鍍膜的均勻性高于95％，精確度也高于95％，碎片率低于0.2％。

S2：均勻涂感光膠。

均勻涂感光膠是指將感光膠涂覆于步驟S1鍍膜后的基片表面，要求涂覆的膠層粘附良好、潔凈、均勻，膠膜厚度符合工藝要求。

本發明將滴上感光膠后的基片先低速旋轉，使膠在基片表面勻開后再高速旋轉，旋轉速度為每分鐘8千至1萬2轉，在離心力及表面張力作用下，膠向四周飛濺，剩余的膠均勻分布于基片表面。涂膠厚度為所需響應電磁波波長的四分之一至三分之一。