[發明專利]具有多磁層及中間雙成核膜的垂直磁記錄盤

無效

• 申請號: 201210184256.3
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN102820039A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: E.E.馬里內羅;D.K.韋勒;B.R.約克
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種垂直磁記錄盤，包括：

襯底；

在所述襯底上的導磁材料的襯層；

非磁中間層，位于所述襯層上并包括選自Ru和Ru合金的材料；

垂直磁記錄層，包括：

第一磁層，包括在所述非磁中間層上的顆粒鐵磁合金，該顆粒鐵磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一種或多種的一種或多種的氧化物；

在所述第一磁層上的第一成核膜，包括從Ru和基于Ru的合金選出的材料，并具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度；

在所述第一成核膜上的第二成核膜，包括從由Ta、Nb、Ti、Si、Mn和Hf組成的組選出的元素的一種或多種氧化物，并具有大于或等于0.2nm且小于或等于1.0nm的厚度；及

在所述第二成核膜上的顆粒鐵磁合金的第二磁層，該顆粒鐵磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一種或多種的一種或多種的氧化物，其中所述第二磁層具有大于所述第一磁層的各向異性場的各向異性場。

2.如權利要求1所述的盤，其中所述第二成核膜是所述第一成核膜上的氧化物團簇的不連續膜，其中所述第二磁層與所述第二成核膜的氧化物團簇及所述第一成核膜接觸。

3.如權利要求1所述的盤，其中所述第一成核膜是在所述第一磁層上的第一成核膜材料的共形膜。

4.如權利要求1所述的盤，其中所述第一成核膜是在所述第一磁層上的第一成核膜材料的不連續膜。

5.如權利要求1所述的盤，其中所述第一成核膜具有等于或大于0.5nm且小于或等于1.2nm的厚度。

6.如權利要求1所述的盤，其中所述第二成核膜具有等于或大于0.4nm且小于或等于0.8nm的厚度。

7.如權利要求1所述的盤，其中所述第一成核膜實質上由基于Ru的合金構成。

8.如權利要求7所述的盤，其中所述第一成核膜實質上由RuCr合金構成。

9.如權利要求1所述的盤，其中所述第一成核膜實質上由Ru_xCo_（100-x）構成，其中x是原子百分比且大于或等于30及小于或等于70。

10.如權利要求1所述的盤，其中所述第二成核膜實質上由Ta的氧化物構成。

11.如權利要求1所述的盤，其中所述第二成核膜實質上由氧化物構成，該氧化物選自Ti、Nb、Si、Mn或Hf的氧化物。

12.如權利要求1所述的盤，其中導磁材料的所述襯層由從合金CoFe、CoNiFe、NiFe、FeCoB、CoCuFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、和CoZrNb組成的組選出的材料形成。

13.如權利要求1所述的盤，其中導磁材料的所述襯層是通過非磁膜隔開的多個導磁膜的疊層。

14.如權利要求13所述的盤，其中所述疊層中的所述非磁膜提供所述疊層中的所述導磁膜的反鐵磁耦合。

15.一種垂直磁記錄盤，包括：

襯底；

在所述襯底上的導磁材料的襯層；

非磁中間層，位于所述襯層上并包括選自Ru和Ru合金的材料；

垂直磁記錄層，包括：

在所述非磁中間層上的第一磁層，包括顆粒鐵磁合金，該顆粒鐵磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一種或多種的一種或多種的氧化物；

在所述第一磁層上的第一成核膜，實質上由Ru構成，并具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度；

在所述第一成核膜上的第二成核膜，其中所述第二成核膜是實質上由Ta的氧化物構成的團簇的不連續膜；及

在所述第二成核膜和部分所述第一成核膜上的顆粒鐵磁合金的第二磁層，該顆粒鐵磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一種或多種的一種或多種的氧化物，其中所述第二磁層具有大于所述第一磁層的各向異性場的各向異性場。

16.如權利要求15所述的盤，其中所述第一成核膜是在所述第一磁層上的第一成核膜材料的共形膜。

17.如權利要求15所述的盤，其中所述第一成核膜是在所述第一磁層上的第一成核膜材料的團簇的不連續膜。