[發(fā)明專利]對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210183944.8
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN102677091A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉惠玲;李君敬;王執(zhí)偉
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學
• 主分類號: C25B11/04
• 分類號: C25B11/04;C25B11/08
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法如下：

一、對甲苯磺酸的吡咯溶液的配制：

將對甲苯磺酸與吡咯的摩爾比按照2∶1的比例混合，得到對甲苯磺酸的吡咯溶液；

二、對甲苯磺酸摻雜的聚吡咯層的制備：

以經(jīng)過預(yù)處理的泡沫鎳基體為陽極、鉑片為陰極，在對甲苯磺酸的吡咯溶液中在恒電位為0.6V～0.7V、聚合溫度為0℃的條件下聚合15min～20min，得到PPy_(PTS)/Ni電極；

三、將氯化鈀與氯化鈉按照1∶3的摩爾比加入到去離子水中，磁力攪拌8～10小時，制成混合溶液，混合溶液中氯化鈀的濃度為0.8mmol/L～1.2mmol/L；

四、以PPy_(PTS)/Ni電極為陰極、鉑片為陽極，在電流密度為0.8mA/cm²～1.1mA/cm²、沉積溫度為35℃～42℃的條件下沉積100min～130min，得到對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟二中所述鉑片的純度為99.99％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟二中恒電位為0.65V。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟二中聚合時間為18min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟三混合溶液中氯化鈀的濃度為0.9mmol/L～1.1mmol/L。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟三混合溶液中氯化鈀的濃度為1mmol/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟四中電流密度為1mA/cm²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟四中沉積溫度為36℃～41℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟四中沉積溫度為40℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述對甲苯磺酸摻雜聚吡咯為基體的鈀修飾電極的制備方法，其特征在于步驟四中沉積時間為120min。