[發明專利]一種鑄造高效大晶粒硅錠的方法有效
| 申請號： | 201210183783.2 | 申請日： | 2012-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN102732962A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 孫海;邢國強;潘歡歡;李曉輝;宋江;黃東 | 申請（專利權）人： | 海潤光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭;曾丹 |
| 地址： | 214407 江蘇省無錫市江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鑄造 高效 晶粒 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鑄造高效大晶粒硅錠的方法，其特征在于：該鑄錠方法的步驟如下：
①使用單晶硅棒開方后剩余的邊皮作為籽晶，將單晶邊皮平整地貼在坩堝底部，凸起的一面朝上，并排鋪滿整個坩堝底部，籽晶上面添加硅料約500Kg，按照目標電阻率1-2~2.0Ω·cm添加硼摻雜劑；
②將裝滿硅料的坩堝放入普通鑄錠爐內，開始抽真空、加熱，融化階段爐內溫度控制在1520~1560℃，用石英棒測試，硅料融化界面位于籽晶之上50~100mm之內時，爐內溫度降為1450~1550℃之間；
硅料剩余高度為20~50mm之內時，適當打開底部熱門，控制坩堝底部溫度在1200~1350℃，籽晶剩余高度為0~20mm之內時，結束融化步驟進入長晶步驟；
③隨后將爐內溫度降至1410-1440℃，按照常規的鑄錠工藝逐漸打開底部熱門，開始長晶，使晶體順延籽晶向上生長，控制長晶速度在1-2cm/h；
④長晶結束后經退火和冷卻步驟，得到大晶粒硅錠。
2.根據權利要求1所述的一種鑄造高效大晶粒硅錠的方法，其特征在于：步驟①所采用的作為籽晶的單晶邊皮料可以用頭尾料或反切料來代替。
3.根據權利要求1所述的一種鑄造高效大晶粒硅錠的方法，其特征在于：步驟①中籽晶的晶向不限，可以是（100）、（110）、（111）或其他晶向，優選（100）晶向。
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