[發明專利]櫻桃砧木嫩莖段離體培養方法無效
| 申請號: | 201210183584.1 | 申請日: | 2012-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN102657098A | 公開(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發明(設計)人: | 陸錦明;朱天華;王水燕;湯桂鈞;蔣建平;胡海峰 | 申請(專利權)人: | 上海閔行區苗圃 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00;A01G31/00 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若瑩 |
| 地址: | 201109 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 櫻桃 砧木 嫩莖段離體 培養 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種櫻桃砧木嫩莖段離體快速培養方法,利用當年抽生的半木質化的新枝經清洗消毒后誘導叢生芽,再經過培養后獲得完整的試管苗,屬于櫻桃培養方法技術領域。
背景技術
櫻桃(Prunus)為薔薇科櫻屬(Cerasus?Mill.)的落葉喬木。櫻桃屬植物有100余種,主要栽培種有中國櫻桃(Prunus?pseudoerasus?Lindl.)、歐洲甜櫻桃(Prunus?avium?L.)、歐洲酸櫻桃(Prunus?cerasus?L.)和毛櫻桃(Prunus?tomentosaThub.)四個種。櫻桃的果實是一種高檔水果,適應性較強,營養豐富,甜酸可口,經濟價值高。櫻桃繁殖主要依靠扦插、嫁接繁殖,由于收到砧木問題的制約,限制了櫻桃的生產和發展。櫻桃組織培養技術始于20世紀70年代末,以莖尖、莖段、子葉、根尖、種子和花器官等器官作為外植體進行離體培養,是櫻桃組織培養中一個主要的方面。同時,對胚培養、細胞懸浮培養和胚狀體的誘導也進行了初步的研究;近些年,在組織細胞培養物的超低溫保存以及基因工程方面也取得了一些進展。目前植物組織培養方面應用最多、最廣泛和最有效的是脫毒和離體快繁,利用組織培養快速繁育砧木苗的方法大致分為培養材料的選擇與滅菌、培養基的選擇、芽分化與增殖繼代、誘導生根和移栽等階段。
櫻桃莖尖組織培養是建立組織培養程序中一種簡單易行的方法。采用莖尖培養進行快繁,繁殖系數高,成苗快,苗木整齊、一致、質量好。有關研究者先后對櫻桃4個種的眾多品種及變種進行了莖尖離體培養。現有櫻桃繁殖用砧木其繁殖率低,且易帶病毒,無法滿足生產用種苗之需。
發明內容
本發明的目的是提供一種繁殖速度快、繁殖率高的櫻桃砧木種苗培養方法。
為達到上述目的,本發明提供了一種櫻桃砧木嫩莖段離體培養方法,其特征在于,具體步驟如下:
第一步:選取新抽生的半木質化的嫩枝,剪去葉片,用洗潔精清洗,在超凈工作臺上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒1min,然后用0.1vol%的升汞溶液浸泡消毒15min,再用無菌水沖洗,最后用無菌濾紙吸干水份;
第二步:將第一步得到的嫩枝切成1cm長的莖段,每個莖段帶1-2個莖節,接種于第一培養基中誘導腋芽萌發生長;
第三步:切下第二步得到的新芽,接種于第二培養基中誘導叢生芽生長;
第四步:將第三步得到的叢生芽切成單芽后,接種于第三培養基上進行生根培養,得到生根的試管苗;
第五步:將第四步得到的試管苗移入體積比為1∶1的泥炭+珍珠巖的基質中,裝入塑料穴盤中育成穴盤苗,移栽后澆足水,第二天開始葉面噴灑清水,每天2次,半月后追施營養液,每月二次,經三個月以上培養后,移至塑料大棚作砧木大苗培養。
優選地,所述第二步中的第一培養基為:1/2MS基本培養基+2mg/L玉米素+0.2mg/L萘乙酸。
優選地,所述第三步中的第二培養基為:MS基本培養基+1mg/L細胞分裂素+0.5mg/L激動素+0.5mg/L吲哚丁酸。
優選地,所述第四步中的第三培養基為:1/2MS基本培養基+0.5mg/L吲哚丁酸+0.1mg/L半木質化嫩枝萘乙酸。
優選地,所述第二步中的第一培養基、第三步中的第二培養基和第四步中的第三培養基均置于23℃,光照為12h/d,光照強度為3000lx的條件下培養。
優選地,所述第五步中的營養液為什么濃度為0.1%的磷酸二氫鉀與什么濃度為+0.1%的硝酸銨的混合液。
與現有技術相比,本發明的優點是:所得到的櫻桃砧木種苗繁殖速度快、繁殖率高,可達1∶3,一個叢生芽一年中可繁殖多達15萬個單芽,是扦插等培養方法無法比擬的。
具體實施方式
為使本發明更明顯易懂,茲以優選實施例作詳細說明如下。
實施例
一種櫻桃砧木嫩莖段離體培養方法,具體步驟為:
第一步:選取新抽生的半木質化嫩枝,剪去葉片,用洗潔精清洗二遍,在超凈工作臺上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒1min,再用0.1vol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用無菌水沖洗三遍,用無菌濾紙吸干水份;
第二步:將第一步得到的嫩枝切成1cm長的莖段,每個莖段帶1-2個莖節,接種于第一培養基中誘導腋芽萌發生長,培養室溫度23℃,每天12小時光照,光照強度3000lx,第一培養基由在1/2MS培養基中添加玉米素、萘乙酸得到,第一培養基中玉米素的濃度為2mg/L,萘乙酸的濃度為0.2mg/L;
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