[發明專利]鰭型反熔絲結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210183500.4
• 申請日: 2012-06-05
• 公開（公告）號: CN103456711A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 甘正浩;馮軍宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種鰭型反熔絲結構，其特征在于，包括：

襯底；

平行排列于所述襯底上且垂直于所述襯底的多個鰭片；

位于所述襯底中且用于隔離各個鰭片的隔離結構；以及

沿所述鰭片排列方向圍繞各個鰭片的柵介質以及圍繞柵介質的柵電極，所述柵介質在所述鰭片排列區域內相互孤立。

2.如權利要求1所述的鰭型反熔絲結構，其特征在于，所述各個鰭片完全孤立；所述柵電極具有在鰭片排列區域相互孤立的部分以及按相間的鰭片上柵電極同側延伸方式由相間的鰭片上向鰭片排列區域外的一側延伸的匯總部分，且兩個匯總部分分別為鰭型反熔絲結構兩個端部。

3.如權利要求2所述的鰭型反熔絲結構，其特征在于，相鄰的鰭片的柵電極側壁之間還填充有電介質。

4.如權利要求1所述的鰭型反熔絲結構，其特征在于，相鄰的鰭片的導電類型相反，且各個鰭片具有在鰭片排列區域相互孤立的部分以及按相間的鰭片同側延伸方式向鰭片排列區域外的一側延伸的匯總部分，相間的鰭片分別向鰭片排列區域外的一側延伸的匯總部分匯總成兩個位于鰭片排列區域兩側的所述鰭型反熔絲結構兩個端部；刻蝕形成的各個柵電極位于鰭片排列區域且完全相互孤立。

5.如權利要求1所述的鰭型反熔絲結構，其特征在于，所述各個鰭片具有在鰭片排列區域相互孤立的部分以及向鰭片排列區域外的兩側延伸的匯總部分，所有鰭片向鰭片排列區域外的兩側延伸的匯總部分匯總成位于鰭片排列區域兩側的所述鰭型反熔絲結構的第一端部；所述柵電極位于鰭片排列區域內并整體覆蓋并圍繞所有鰭片的柵介質上，且為所述鰭型反熔絲結構的第二端部。

6.如權利要求1所述的鰭型反熔絲結構，其特征在于，圍繞每個鰭片上的柵介質厚度不同。

7.如權利要求1至6中任一項所述的鰭型反熔絲結構，其特征在于，鰭片的排列密度不均勻。

8.一種鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

形成平行排列于所述襯底上且垂直于所述襯底的多個鰭片；

在所述襯底中形成用于隔離各個鰭片底部的隔離結構；

在所述襯底、隔離結構及鰭片表面沉積柵介質層并刻蝕，形成沿鰭片排列方向圍繞各個鰭片的柵介質，且所述柵介質在鰭片排列區域內相互孤立；

在所述襯底、隔離結構及柵介質表面沉積導電層并刻蝕形成圍繞所述柵介質上的柵電極。

9.如權利要求8所述的鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，在襯底上形成的各個鰭片完全孤立，且刻蝕形成的柵電極具有在鰭片排列區域相互孤立的部分，以及按相間的鰭片上柵電極同側延伸方式由相間的鰭片上向鰭片排列區域外的一側延伸的匯總部分，且兩個匯總部分別為鰭型反熔絲結構兩個端部。

10.如權利要求9所述的鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，相鄰的鰭片的柵電極側壁之間還填充有電介質。

11.如權利要求8所述的鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，相鄰的鰭片的導電類型相反，且各個鰭片具有在鰭片排列區域相互孤立的部分以及按相間的鰭片同側延伸方式向鰭片排列區域外的一側延伸的匯總部分，相間的鰭片分別向鰭片排列區域外的一側延伸匯總部分匯總成兩個位于鰭片排列區域兩側的所述鰭型反熔絲結構兩個端部；且刻蝕形成的各個柵電極位于鰭片排列區域且完全相互孤立。

12.如權利要求8所述的鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，在襯底上形成的各個鰭片具有在鰭片排列區域相互孤立的部分以及向鰭片排列區域外的兩側延伸的匯總部分，所有鰭片向鰭片排列區域外的兩側延伸的匯總部分匯總成位于鰭片排列區域兩側的所述鰭型反熔絲結構的第一端部；且刻蝕形成的柵電極位于鰭片排列區域內并整體覆蓋并圍繞所有鰭片的柵介質上，且為所述鰭型反熔絲結構的第二端部。

13.如權利要求8所述的鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，圍繞每個鰭片上的柵介質厚度不同。

14.如權利要求8至13中任一項所述的鰭型反熔絲結構的制造方法，其特征在于，鰭片的排列密度不均勻。