[發明專利]一種測磁場強度的RFID系統及其測磁場強度的方法

無效

• 申請號: 201210183364.9
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN102819718A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 劉丙午;霍靈瑜;王玉泉
• 申請（專利權）人: 北京物資學院
• 主分類號: G06K7/00
• 分類號: G06K7/00;G06K19/077;G01R33/06;H01Q1/22;H01Q5/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述測磁場強度的RFID系統包括：RFID閱讀器、第一RFID標簽和第二RFID標簽，所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述第二RFID標簽的芯片上有兩個引腳；所述磁敏裝置與這兩個引腳相連，并與所述第二RFID標簽的天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二RFID標簽的芯片連接的線路上有-電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。

2.如權利要求1所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽的天線均為單極子天線：所述的磁敏裝置與所述第二RFID標簽的天線形成并聯結構。

3.如權利要求1所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽的天線均為雙偶極天線：所述的磁敏裝置與所述第二RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。

4.如權利要求1所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述電壓-電阻轉換裝置包括：一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括：霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏二極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。

5.一種測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述測磁場強度的RFID系統包括：RFID閱讀器、第一RFID標簽和第二RFID標簽，所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽具有相同的芯片和天線；所述第一RFID標簽被放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變，此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下；所述第二RFID標簽為帶磁敏裝置的RFID標簽，所述第二RFID標簽的芯片上有一個引腳；所述磁敏裝置的一端與這個引腳相連，另一端連接到所述RFID標簽的天線上，并與天線形成并聯結構，在磁敏裝置與第二RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置，該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分，外界磁場強度的變化會引起磁敏裝置兩端電壓或電流的變化，此時所述第二RFID標簽放置在一定的磁場強度下一段時間后，所述第二RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化，此時所述第二RFID標簽工作在第二共振頻率下；所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號，所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測磁場的改變。

6.如權利要求5所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽的天線均為單極子天線：所述的磁敏裝置與所述第二RFID標簽的天線形成并聯結構。

7.如權利要求5所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽的天線均為雙偶極天線：所述的磁敏裝置與所述第二RFID標簽的一根天線形成并聯結構，或者與兩根天線同時形成并聯結構。

8.如權利要求5所述測磁場強度的RFID系統，其特征在于，所述電壓-電阻轉換裝置包括：一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路，所述磁敏裝置包括：霍爾器件、霍爾開關集成裝置、霍爾線性集成裝置、磁敏二極管、磁敏三極管、CMOS磁敏器件、韋根德磁敏器件、磁通門敏感裝置。