[發(fā)明專利]低壓LDMOS的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210182990.6 | 申請日： | 2012-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN103456635A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 段文婷;劉冬華;錢文生;胡君;石晶 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 低壓 ldmos 制造 方法 | ||
1.一種低壓LDMOS的制造方法，其特征在于：包含如下步驟：
第1步，在輕摻雜的P型襯底上進行P阱注入，然后生長第一柵氧化層；
第2步，光刻打開第一柵氧化層的窗口；
第3步，在打開的窗口內(nèi)生長第二柵氧化層；
第4步，在整個器件表面淀積多晶硅；
第5步，刻蝕掉溝道兩側(cè)多晶硅及第一柵氧化層，形成柵極結(jié)構(gòu)；
第6步，進行輕摻雜源漏注入，且輕摻雜漏區(qū)的注入能量高于輕摻雜源區(qū)，形成不對稱的結(jié)構(gòu)；
第7步，生長柵極側(cè)墻；
第8步，進行源漏注入，器件完成。
2.如權(quán)利要求1所述的低壓LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第1步中生長的第一柵氧化層厚度范圍是40～70埃。
3.如權(quán)利要求1所述的低壓LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第2步中光刻打開的窗口小于溝道長度，窗口邊緣到柵邊緣的距離范圍為0.05～0.2μm。
4.如權(quán)利要求1所述的低壓LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第3步中生長的第二柵氧化層厚度范圍是20～40埃。
5.如權(quán)利要求1所述的低壓LDMOS的制造方法，其特征在于：所述第5步刻蝕掉兩次生長的柵氧后形成的柵氧化層結(jié)構(gòu)是呈現(xiàn)中間薄，兩頭厚的形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的低壓LDMOS的制造方法，其特征在于：器件的閾值電壓是根據(jù)所述第2步打開的窗口大小，或者是第5步多晶硅柵極刻蝕保留的柵極長度來調(diào)整；即控制溝道兩端的第一柵氧化層長度占整個器件溝道長度的比例。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
