[發(fā)明專利]一種基于腐蝕的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210182216.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102779763A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭小偉;羅育光;崔夢(mèng);蒲鴻鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華天科技(西安)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種扁平封裝件塑封工序中的改良工藝，尤其是一種基于腐蝕的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

集成電路是信息產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)的核心，是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)。集成電路封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)的主要組成部分，它的發(fā)展一直伴隨著其功能和器件數(shù)的增加而邁進(jìn)。自20世紀(jì)90年代起，它進(jìn)入了多引腳數(shù)、窄間距、小型薄型化的發(fā)展軌道。無(wú)載體柵格陣列封裝(即AAQFN)是為適應(yīng)電子產(chǎn)品快速發(fā)展而誕生的一種新的封裝形式，是電子整機(jī)實(shí)現(xiàn)微小型化、輕量化、網(wǎng)絡(luò)化必不可少的產(chǎn)品。

無(wú)載體柵格陣列封裝元件，底部沒(méi)有焊球，焊接時(shí)引腳直接與PCB板連接，與PCB的電氣和機(jī)械連接是通過(guò)在PCB焊盤上印刷焊膏，配合SMT回流焊工藝形成的焊點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。該技術(shù)封裝可以在同樣尺寸條件下實(shí)現(xiàn)多引腳、高密度、小型薄型化封裝，具有散熱性、電性能以及共面性好等特點(diǎn)。

AAQFN封裝產(chǎn)品適用于大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的封裝。AAQFN封裝的器件大多數(shù)用于手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)及通信設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、微機(jī)、筆記本電腦和各類平板顯示器等高檔消費(fèi)品市場(chǎng)。掌握其核心技術(shù)，具備批量生產(chǎn)能力，將大大縮小國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，該產(chǎn)品有著廣闊市場(chǎng)應(yīng)用前景。

但是由于技術(shù)難度等限制，目前AAQFN產(chǎn)晶在市場(chǎng)上的推廣有一定難度，尤其是在可靠性方面，直接影響產(chǎn)品的使用及壽命，已成為AAQFN封裝件的技術(shù)攻關(guān)難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種基于腐蝕的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，使集成電路框架與塑封體結(jié)合更加牢固，不受外界環(huán)境影響，直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性，同時(shí)降低成本。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用一種基于腐蝕的AAQFN產(chǎn)品的二次塑封制作工藝，先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然后采用二次塑封的方法，具體制作工藝按照如下步驟進(jìn)行：

第一步、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為50μm～200u?m，粗糙度Ra?0.10um～0.30um；

第二步、劃片；

第三步、采用粘片膠上芯；

第四步、壓焊；

第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進(jìn)行一次塑封；

第六步、后固化；

第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開(kāi)窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；

第八步、二次塑封；

第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝、入庫(kù)。

所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝；厚度在150μm以下晶圓，采用雙刀劃片機(jī)及其工藝；所述的方法中的第三步中上芯時(shí)采用的粘片膠可以用膠膜片(DAF)替換；所述的方法中的第八步二次塑封中

使用30～32um顆粒度的塑封料填充；所述的方法中的第四步、第六步、第九步均與常規(guī)AAQFN工藝相同。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然后采用二次塑封的方法，在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，使集成電路框架與塑封體結(jié)合更加牢固，不受外界環(huán)境影響，直接提高產(chǎn)品的封裝可靠性，同時(shí)，簡(jiǎn)單易行，生產(chǎn)效率高，降低成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明中引線框架剖面圖；

圖2為本發(fā)明中上芯后產(chǎn)品剖面圖；

圖3為本發(fā)明中壓焊后產(chǎn)品剖面圖；

圖4為本發(fā)明中一次塑封后產(chǎn)品剖面圖；

圖5為本發(fā)明中框架背面蝕刻后產(chǎn)品剖面圖。

圖中：1-引線框架、2-粘片膠、3-芯片、4-鍵合線、5-塑封體、6-蝕刻凹槽。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖1-5和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明，以方便技術(shù)人員理解。

實(shí)施例1

先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，然后采用二次塑封的方法，具體制作工藝按照如下步驟進(jìn)行：

第一步、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為50μm，粗糙度Ra?0.10um；

第二步、采用雙刀劃片機(jī)及其工藝進(jìn)行劃片；

第三步、采用粘片膠上芯；

第四步、采用與常規(guī)AAQFN工藝相同的方法進(jìn)行壓焊；

第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進(jìn)行一次塑封；

第六步、采用與常規(guī)AAQFN工藝相同的方法進(jìn)行后固化；

第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開(kāi)窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內(nèi)；

第八步、二次塑封；使用30um顆粒度的塑封料填充；