[發(fā)明專利]通過離子注入砷改進(jìn)晶體硅太陽能電池制作工藝的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210182173.0
• 申請(qǐng)日: 2012-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN102683504A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張宇翔;宋賀倫;黃寓洋;張耀輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.一種通過離子注入砷改進(jìn)晶體硅太陽能電池制作工藝的方法，其特征在于，所述具體制作步驟包括：

對(duì)P型單晶或多晶硅片進(jìn)行去損傷層和表面制絨；

在硅片的正面指定區(qū)域進(jìn)行圖形化的擴(kuò)散制結(jié)；

去除硅片邊緣處PN結(jié)，并去除磷硅玻璃；

在硅片絨面一側(cè)離子注入砷，然后對(duì)硅片進(jìn)行快速熱退火；

硅片的絨面?zhèn)扔玫入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅；

絲網(wǎng)印刷硅片正面的電極漿料以及硅片背面的背場漿料；

共燒結(jié)形成歐姆接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過離子注入砷改進(jìn)晶體硅太陽能電池制作工藝的方法，其特征在于，在硅片絨面一側(cè)離子注入砷，能量為1keV-1MkeV，劑量大于1e14。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述的通過離子注入砷改進(jìn)晶體硅太陽能電池制作工藝的方法，其特征在于，在硅片絨面一側(cè)離子注入砷后對(duì)硅片進(jìn)行快速熱退火的處理過程為，在900度-1200度的溫度范圍內(nèi)處理5s-30min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過離子注入砷改進(jìn)晶體硅太陽能電池制作工藝的方法，其特征在于，在硅片的正面指定區(qū)域進(jìn)行圖形化的擴(kuò)散制結(jié)的處理流程包括：

在硅片正面采用熱氧化或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或者低壓化學(xué)氣相沉積法沉積氧化硅或者氮化硅；

在硅片正面印刷刻蝕性漿料或激光刻蝕選擇性去除指定區(qū)域的氧化硅；

在硅片正面單面擴(kuò)散三氯氧磷，在指定區(qū)域形成正面n+擴(kuò)散層；

去除掩膜的氧化硅或氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的通過離子注入砷改進(jìn)晶體硅太陽能電池制作工藝的方法，其特征在于，在硅片的正面指定區(qū)域進(jìn)行圖形化的擴(kuò)散制結(jié)，其中指定區(qū)域?yàn)橹蠼饘倥c硅片形成歐姆接觸的區(qū)域。