[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201210181618.3
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN102751240A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 劉翔;李禹奉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛軍

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，特別是指一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。

近年來TFT-LCD獲得了飛速的發展，其尺寸和分辨率不斷地提高，大尺寸、高分辨率的液晶電視成為TFT-LCD發展的一個主流。隨著TFT-LCD尺寸的不斷增大、分辨率的不斷提高，為了提高顯示質量，需要采用更高頻率的驅動電路，現有的非晶硅薄膜晶體管的遷移率很難滿足液晶顯示器的需要。非晶硅薄晶體管的遷移率一般在0.5cm²/V.S左右，但是在液晶顯示器尺寸超過80英寸，驅動頻率為120Hz時需要1cm²/V.S以上的遷移率，現在非晶硅硅薄膜晶體管的遷移率顯然很難滿足。金屬氧化物TFT（非晶IGZO）遷移率高，均一性好，透明且制作工藝簡單，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有源有機電致發光的需求，備受人們的關注。

但是現有技術在制作金屬氧化物TFT時，一般在金屬氧化物上面加一層保護層，以避免在形成源漏金屬電極時對金屬氧化物層的破壞，這樣就增加了構圖工藝的次數，影響了生產效率。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法、顯示面板、顯示裝置，能夠簡化金屬氧化物TFT陣列基板的制造工藝，降低產品的生產成本。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括：

依次沉積第一金屬氧化物層、第二金屬氧化物層和源漏金屬層，所述第一金屬氧化物層的導電率小于所述第二金屬氧化物層的導電率；

在所述源漏金屬層上涂布光刻膠；

利用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影，形成完全去除區、對應源電極、漏電極的完全保留區和對應溝道區域的部分保留區，之后刻蝕掉完全去除區的源漏金屬層、第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層，形成有源層，進行光刻膠灰化工藝去除掉所述部分保留區的光刻膠，之后先刻蝕掉部分保留區的源漏金屬層，再刻蝕掉部分保留區的第二金屬氧化物層，形成薄膜晶體管的溝道區域，去除所述完全保留區的光刻膠，形成包括源電極過渡層和漏電極過渡層的過渡層，以及分別位于所述源電極過渡層和漏電極過渡層上的由所述源漏金屬層形成的源電極和漏電極。

進一步地，所述形成源電極、漏電極之后還包括：

對所述溝道區域的有源層的表面進行修復。

進一步地，所述制造方法具體包括：

在基板上形成柵電極和柵極掃描線的圖形；

在形成有所述柵電極和柵極掃描線的圖形的基板上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上進行所述依次沉積第一金屬氧化物層、第二金屬氧化物層和源漏金屬層，所述第一金屬氧化物層的導電率小于所述第二金屬氧化物層的導電率；

在所述源漏金屬層上涂布光刻膠；

利用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影，形成完全去除區、對應源電極、漏電極和數據線的完全保留區和對應溝道區域的部分保留區，之后刻蝕掉完全去除區的源漏金屬層、第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層，形成有源層，進行光刻膠灰化工藝去除掉所述部分保留區的光刻膠，之后先刻蝕掉部分保留區的源漏金屬層，再刻蝕掉部分保留區的第二金屬氧化物層，形成薄膜晶體管的溝道區域，去除所述完全保留區的光刻膠，形成包括源電極過渡層和漏電極過渡層的過渡層，以及分別位于所述源電極過渡層和漏電極過渡層上的由所述源漏金屬層形成的源電極、漏電極和數據線；

在形成有所述源電極、漏電極和數據線的圖形的基板上形成包括有接觸過孔的鈍化層的圖形；

在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述接觸過孔與所述漏電極相連接。

本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

由第一金屬氧化物層形成的有源層；

由第二金屬氧化物層形成的過渡層，過渡層的導電率比有源層的導電率大，過渡層包括源電極過渡層和漏電極過渡層；

由源漏金屬層形成的源電極、漏電極；

其中，源電極過渡層位于所述有源層和所述源電極之間，所述漏電極過渡層位于所述有源層和所述漏電極之間。