[發明專利]LED結構

有效

• 申請號: 201210181521.2
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN102842664A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 夏守禮;余致廣;傅文鍵;郭鴻毅;高弘昭;吳銘峰;楊富智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

技術領域

本發明涉及發光二極管（LED）結構。

背景技術

在某些方法中，高電壓發光二極管（LED）解決方案包括安裝在印刷電路板（PCB）上的分立LED和齊納二極管（Zener?diode）。然而，整個電路占用了PCB空間。在PCB上集成LED和齊納二極管還構成了挑戰。

在其他某些方法中，使用高電壓多P-N結LED管芯。本文中，將齊納二極管與電路板上的LED管芯安裝在一起。然而，齊納二極管保護了管芯和/或封裝芯片，但沒有保護管芯上的PN結。在LED的制造期間或帶有LED的電路的組裝期間，由于靜電放電（ESD），結可能受到損傷，并因此導致LED管芯可能受到損傷。另外，因為LED在高電壓下運行，結還可能由于擊穿電壓較高而受到損傷。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種發光二極管（LED）結構，包括：第一摻雜劑區；介電層，位于所述第一摻雜劑區的頂部上；接合焊盤層，位于所述介電層的第一部分的頂部上，所述接合焊盤層電連接至所述第一摻雜劑區；以及LED層，具有第一LED區和第二LED區，所述第一LED區與所述接合焊盤層電連接。

在該結構中，所述第一摻雜劑區和所述第一LED區的摻雜劑類型相同。

在該結構中，所述第一摻雜劑區和所述第一LED區的摻雜劑類型相反。

在該結構中，進一步包括：導電層，將所述接合焊盤層和所述第一LED區電連接。

在該結構中，進一步包括：第二導電層，將所述導電層和所述第一LED區相連接。

在該結構中，進一步包括：用于將所述第一摻雜劑區和所述接合焊盤層電連接的裝置。

在該結構中，進一步包括：第二摻雜劑區，電連接至所述第二LED區。

在該結構中，進一步包括：第二接合焊盤層，位于所述介電層的第二部分的頂部上；第一裝置，用于將所述第二摻雜劑區和所述第二接合焊盤層電連接；以及第二裝置，用于將所述第二接合焊盤層電連接至所述第二LED區。

在該結構中，所述第二裝置包括第一導電層和第二導電層；所述第一導電層將所述第二LED區和所述第二導電層相連接；所述第二導電層將所述第一導電層和所述第二接合焊盤層相連接。

在該結構中，進一步包括：第二LED層，具有第三LED區和第四LED區；所述第三LED區電連接至所述第二接合焊盤層。

在該結構中，所述第一LED區為第一摻雜劑類型的；所述第二LED區為第二摻雜劑類型的；并且所述第一摻雜劑區和所述第二摻雜劑區為所述第一摻雜劑類型的，并且位于第二摻雜劑類型的阱中。

在該結構中，所述第一LED區為第一摻雜劑類型的；所述第二LED區為第二摻雜劑類型的；所述第一摻雜劑區為所述第二摻雜劑類型的；所述第二摻雜劑區為所述第一摻雜劑類型的；并且所述第一摻雜劑區和所述第二摻雜劑區位于所述第二摻雜劑類型的阱中。

在該結構中，所述第一摻雜劑區、所述介電層、所述接合焊盤層、和所述LED層位于第一管芯中。

根據本發明的另一方面，提供了一種發光二極管（LED）結構，包括：阱區；第一摻雜劑區；第二摻雜劑區；介電層，位于所述第一摻雜劑區、所述第二摻雜劑區和所述阱區的頂部上；第一接合焊盤層和第二接合焊盤層，所述第一接合焊盤層與所述第二接合焊盤層相分離，并電連接至所述第一摻雜劑區，所述第二接合焊盤層電連接至所述第二摻雜劑區；第一LED層，具有第一LED區和第二LED區，所述第一LED區與所述第一接合焊盤層電連接；以及用于將所述第二LED區和所述第二接合焊盤層電連接的裝置。

在該LED結構中，所述第一LED區為第一摻雜劑類型的；所述第二LED區為第二摻雜劑類型的；并且所述第一摻雜劑區和所述第二摻雜劑區為所述第一摻雜劑類型。

在該LED結構中，所述第一LED區為第一摻雜劑類型的；所述第二LED區為第二摻雜劑類型的；所述第一摻雜劑區為所述第二摻雜劑類型的；并且所述第二摻雜劑區為所述第一摻雜劑類型的。

在該LED結構中，進一步包括：連接層，被配置為將所述第一接合焊盤層與所述第一LED區電連接。

在該LED結構中，所述用于將所述第二LED區和所述第二接合焊盤層電連接的裝置包括：第一連接層和第二連接層，所述第一連接層將所述第二LED區與所述第二連接層相連接，所述第二連接層將所述第一連接層和所述第二接合焊盤層相連接。