[發(fā)明專利]一種可提高數(shù)控振蕩器頻率分辨率的變?nèi)莨?/span>有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210181417.3 | 申請日： | 2012-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN102694031A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李巍;牛楊楊;李寧;任俊彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H03L7/099 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 數(shù)控 振蕩器 頻率 分辨率 變?nèi)莨?/a> | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種可提高數(shù)控振蕩器頻率分辨率的變?nèi)莨埽涮卣髟谟谟蓡蝹€金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管構(gòu)成；所述金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管有兩種形式：P型金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管和N型金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管；當由單個P型金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管構(gòu)成時，該晶體管源端和體端都連接到電源，控制電壓連接到漏端，輸出電容在柵端得到；當由單個N型金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管構(gòu)成時，該晶體管源端和體端都連接到地，控制電壓連接到漏端，輸出電容在柵端得到。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
