[發(fā)明專利]電感器和包括電感器的渦電流傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210181007.9 | 申請日: | 2012-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN102738140A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | L·坎貝爾;A·J·克諾布羅赫;S·克拉克;呂卓民;R·D·斯萊特斯;D·W·韋爾努瓦 | 申請(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;G01R19/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯廣華;朱海煜 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電感器 包括 電流傳感器 | ||
1.一種電感器,包括:
布置在絕緣襯底上的圖案化金屬層;
其中所述電感器能夠感測一區(qū)域的渦電流,所述區(qū)域處于達(dá)到大約500℃的溫度處;以及
其中所述圖案化金屬層包括鉑。
2.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述電感器能夠在所述區(qū)域的溫度達(dá)到大約1000℃的條件下感測渦電流。
3.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述圖案化金屬層包括籽晶層和鍍層。
4.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述圖案化金屬層包括螺旋圖案。
5.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述圖案化金屬層包括16匝。
6.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述圖案化金屬層包括在大約240微米和大約267微米之間的預(yù)定軌跡寬度。
7.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述圖案化金屬層包括在大約216微米和大約190微米之間的預(yù)定軌跡間隔。
8.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述圖案化金屬層包括大約19微米和大約35微米之間的預(yù)定深度。
9.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述絕緣襯底包括氧化鋁。
10.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,所述絕緣襯底包括氮化鋁。
11.如權(quán)利要求1所述的電感器,其中,該絕緣襯底包括藍(lán)寶石。
12.如權(quán)利要求1所述的電感器,進(jìn)一步包括從設(shè)置在第一表面上的所述圖案化金屬層延伸到第二表面的通孔。
13.如權(quán)利要求12所述的電感器,進(jìn)一步包括可操作地連接到所述圖案化金屬層的、在所述第一表面上的第一傳導(dǎo)墊和可操作地連接到所述通孔的、在所述第二表面上的第二傳導(dǎo)墊。
14.如權(quán)利要求13所述的電感器,其中,所述第一傳導(dǎo)墊包括以下一個或多個:鎳基合金,鈦基合金,鎢基合金,金基合金和鉬基合金。
15.如權(quán)利要求1所述的電感器,進(jìn)一步包括第二圖案化金屬層。
16.如權(quán)利要求15所述的電感器,進(jìn)一步包括第二絕緣襯底,其中所述第二圖案化金屬層布置在所述第二絕緣襯底上。
17.如權(quán)利要求15所述的電感器,其中,所述第一圖案化金屬層通過多個通孔可操作地連接到所述第二圖案化金屬層。
18.一種電感器,包括:
在絕緣襯底上的圖案化金屬層;
在所述圖案化金屬層上的傳導(dǎo)材料;
其中,所述電感器能夠感測一區(qū)域的渦電流,所述區(qū)域處于達(dá)到大約500℃的溫度處。
19.如權(quán)利要求18所述的電感器,其中,所述傳導(dǎo)材料包括鉑。
20.一種渦電流傳感器,包括:
具有電感器的換能器,所述電感器包括:
布置在絕緣襯底上的圖案化金屬層;
其中所述電感器能夠感測一區(qū)域的渦電流,所述區(qū)域處于達(dá)到大約500℃的溫度處。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于通用電氣公司,未經(jīng)通用電氣公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210181007.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





