[發明專利]一種室溫隧道各向異性磁電阻器件及其制備方法無效
| 申請號： | 201210181003.0 | 申請日： | 2012-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN102709466A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 宋成;王鈺言;潘峰 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
| 地址： | 100084 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 室溫 隧道 各向異性 磁電 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種室溫隧道各向異性磁電阻器件，其結構依次包括：基片、底電極、鐵磁層、反鐵磁層、隧穿層和頂電極；其中，所述鐵磁層由垂直磁化膜構成，所述反鐵磁層由Mn系合金構成。
2.根據權利要求1所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述垂直磁化膜選自下述任意一種多層膜：[Co/Pt]n、[Co/Pd]n和[Co/Ni]n，其中，n=1~10。
3.根據權利要求2所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述[Co/Pt]n多層膜中，各Co層的厚度均為0.3nm~0.8nm，各Pt層的厚度均為0.8nm~1.5nm；
所述[Co/Pd]n多層膜中，各Co層的厚度均為0.3nm~0.8nm，各Pd層的厚度均為0.8nm~1.5nm；
所述[Co/Ni]n多層膜中，各Co層的厚度均為0.3nm~0.8nm，各Ni層的厚度均為0.8nm~1.5nm。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述反鐵磁層的厚度為2nm~6nm。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述Mn系合金包括IrMn、FeMn。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述隧穿層由MgO或Al2O3構成，所述隧穿層的厚度為1.5nm~2.5nm。
7.根據權利要求6所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述Al2O3采用下述任意一種方法制備：磁控濺射、電子束蒸鍍、Al的等離子體氧化和Al自然氧化；所述MgO采用磁控濺射或電子束蒸鍍的方法制備。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述底電極和頂電極均為Pt電極。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的的室溫隧道各向異性磁電阻器件，其特征在于：所述基片為Si(100)/SiO2，其中SiO2厚度為300-500nm。
10.制備權利要求1-9中任一項所述室溫隧道各向異性磁電阻器件的方法，包括下述步驟：所述在基片上依次沉積：底電極、鐵磁層、反鐵磁層、隧穿層和頂電極。
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