[發明專利]發光二極管元件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210180882.5
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN103325891A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 吳奇隆;朱長信;余國輝;邱信嘉
• 申請（專利權）人: 奇力光電科技股份有限公司;佛山市奇明光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光二極管元件的制造方法，包括步驟：

提供一外延基板；

形成一外延層于該外延基板上，該外延層具有相對的第一側表面與第二側表面，其中該第一側表面與該外延基板的一表面接合；

形成一第一歐姆接觸層于該外延層上的該第二側表面上；

形成一接合層于該第一歐姆接觸層上，通過該接合層將一鍵合基板接合于該第一歐姆接觸層上；

移除該外延基板；

形成一第二歐姆接觸層于該外延層的該第一側表面上；

形成暴露該第一歐姆接觸層的一穿孔；

形成一導電層于該穿孔中，并與該第一歐姆接觸層電連接；以及

形成一第一電極及一第二電極于該外延層上，該第一電極經由該導電層電連接該第一歐姆接觸層，該第二電極與該第二歐姆接觸層電連接。

2.如權利要求1所述的制造方法，還包含：

形成一隔離層覆蓋該外延層與該第二歐姆接觸層，但暴露出該第一電極及該第二電極。

3.如權利要求1所述的制造方法，其中該外延基板為砷化鎵基板或氮化物基板。

4.如權利要求1所述的制造方法，其中該外延層以有機金屬化學氣相沉積形成于該外延基板。

5.如權利要求1所述的制造方法，其中該第一歐姆接觸層為p型歐姆接觸層，該第二歐姆接觸層為n型歐姆接觸層。

6.如權利要求1所述的制造方法，其中該穿孔以感應耦合等離子體離子蝕刻形成。

7.如權利要求1所述的制造方法，其中形成該穿孔的步驟還包括：

以光刻制作工藝定義一光致抗蝕劑層覆蓋于該第二歐姆接觸層與該外延層上；以及

蝕刻未被該光致抗蝕劑層覆蓋的該外延層，由此定義一n型平臺、一p型平臺及露出該第一歐姆接觸層。

8.如權利要求7所述的制造方法，其中蝕刻部分該外延層后，露出該外延層的一磷化鎵層。

9.如權利要求1所述的制造方法，其中該導電層以無電電鍍方法形成。

10.如權利要求1所述的制造方法，其中該接合層為一光致抗蝕劑材料，而該鍵合基板以熱壓合形成于該光致抗蝕劑層上。

11.一種發光二極管元件，包括：

外延層，具有相對的第一側表面與第二側表面該外延層具有一穿孔；

第一歐姆接觸層，設置于該外延層的該第二側表面上；

接合層，設置于該外延層的該第二側表面上，且包覆該第一歐姆接觸層；

鍵合基板，其通過該接合層接合于該第一歐姆接觸層及該外延層的該第二側表面上；

導電層，填滿于該穿孔的一部分深度，并與該第一歐姆接觸層電連接；

第一電極，設置于該外延層上，該第一電極經由該導電層電連接該第一歐姆接觸層；

第二歐姆接觸層，設置于該外延層；以及

第二電極，設置于該外延層上，且電連接該第二歐姆接觸層。

12.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中該外延層包括砷化鎵層、磷銦鎵鋁的復合層以及磷化鎵層。

13.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中該第一歐姆接觸層為一金/鈹/金或是一金/鈹金/金的金屬復合層。

14.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中該導電層于該穿孔中形成一導電柱以填滿該穿孔的部分深度，減少該穿孔的深寬比。

15.如權利要求14所述的發光二極管元件，其中該導電柱的厚度為4～6μm。

16.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中該第二歐姆接觸層的材質包含鍺金合金。

17.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中該導電層的材質包含金、銀或銅。

18.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中該第一電極及該第二電極的材質依序包含鉻/鉑/金，且該第一電極及該第二電極的厚度為4至6μm。