[發(fā)明專利]一種凹坑形永磁體及包括該永磁體的磁傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210180463.1 | 申請日： | 2012-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN102723163A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉明峰;白建民;諸敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇多維科技有限公司;蘭州大學 |
| 主分類號： | H01F7/02 | 分類號： | H01F7/02;H01F1/057;H01F1/047;H01F1/10;H01F41/02;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張雪梅 |
| 地址： | 215634 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 凹坑形 永磁體 包括 傳感器 | ||
1.一種永磁體，其特征在于，該永磁體呈凹坑形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于，所述永磁體的坑沿面(121)呈回形，坑底面(122)和坑側(cè)面(123)為長方形或正方形，且所述坑側(cè)面(123)分別與所述坑沿面(121)和所述坑底面(122)垂直。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于，所述永磁體的坑沿面(131)呈回形，坑底面(132)呈長方形或正方形且與所述坑沿面平行，至少一個坑側(cè)面(133)呈梯形，所述梯形坑側(cè)面(133)與所述坑底面(132)所成的角度大于90°且小于180°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于，所述永磁體的坑沿面(141)呈回形，坑底面(142)呈長方形且與所述坑沿面(141)平行，至少一個坑側(cè)面(143)呈曲面形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于，所述永磁體的材質(zhì)包括釹鐵硼、釤鈷或硬磁鐵氧體。
6.一種磁傳感器，其特征在于，該磁傳感器設有磁傳感芯片和權(quán)利要求1-5中任意一項所述的永磁體，所述永磁體被設置為其凹坑朝向所述磁傳感芯片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇多維科技有限公司;蘭州大學，未經(jīng)江蘇多維科技有限公司;蘭州大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210180463.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
