[發明專利]極窄回滯曲線寬度高電阻溫度系數二氧化釩薄膜制備方法有效
| 申請號： | 201210180294.1 | 申請日： | 2012-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN102703873A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 徐曉峰;何鑫峰;汪海旸;陳效雙;褚君浩 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩 |
| 地址： | 201620 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 極窄回滯 曲線 寬度 電阻 溫度 系數 氧化 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種極窄回滯曲線寬度高電阻溫度系數VO2薄膜制備方法，其特征在于：該方法分為以下2個步驟：
步驟1：利用磁控濺射鍍膜儀的金屬釩靶對Al2O3基片進行直流濺射，制備金屬釩薄膜；
步驟2：將金屬釩薄膜置于快速退火爐內進行氧化處理，再將氧化后的金屬釩薄膜取出并置于空氣中自然冷卻，獲得多晶VO2薄膜。
2.如權利要求1所述的一種極窄回滯曲線寬度高電阻溫度系數VO2薄膜制備方法，其特征在于：所述步驟1中，磁控濺射鍍膜儀的金屬釩靶純度為99.7％，靶材直徑為60mm，靶到襯底的間距為180mm，襯底旋轉速度為13.6r/min；鍍膜前先預濺射15min，然后在真空度5×10-3Pa下以132W的功率濺射8分鐘。
3.如權利要求1所述的一種極窄回滯曲線寬度高電阻溫度系數VO2薄膜制備方法，其特征在于：所述步驟1中，Al2O3基片為0001取向，厚度為0.5mm。
4.如權利要求1所述的一種極窄回滯曲線寬度高電阻溫度系數VO2薄膜制備方法，其特征在于：所述步驟2中，快速退火爐內氧化處理過程分為以下三個階段：
預熱段：加熱20秒，溫度升至200℃，保持60～120秒；
升溫段：加熱10秒，溫度升至470℃，保持9～10分鐘；
降溫段：冷卻10秒，溫度降至100℃，保持30～60秒。
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