[發(fā)明專利]功率器件和制造該功率器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210180130.9
• 申請(qǐng)日: 2012-06-01
• 公開（公告）號(hào): CN102881714A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李哉勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種功率器件，所述功率器件包括：

基板；

半絕緣GaN層，形成在基板上；

Al摻雜GaN層，形成在半絕緣GaN層上；

第一氮化物層，形成在Al摻雜GaN層上；

第二氮化物層，形成在第一氮化物層上；

源電極圖案和漏電極圖案，形成在第一氮化物層上；以及

柵電極圖案，形成在第二氮化物層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件，其中，第一氮化物層包括實(shí)驗(yàn)式1的材料：

[實(shí)驗(yàn)式1]

Al_xIn_yGa_1-xN，

其中，0.1≤x≤1和O≤y≤0.3。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率器件，其中，第二氮化物層包括與第一氮化物層的材料相同的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率器件，其中，第二氮化物層包括與用p型材料摻雜的第一氮化物層的材料對(duì)應(yīng)的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率器件，其中，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)式1中x在0.1≤x≤0.5的范圍內(nèi)且y是O時(shí)，第二氮化物層的厚度在20nm至70nm的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率器件，其中，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)式1中x是1且y是0時(shí)，第二氮化物層的厚度在2nm至7nm的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件，所述功率器件還包括：

形成在第二氮化物層和源電極圖案之間的絕緣圖案，以及形成在第二氮化物層和漏電極圖案之間的絕緣圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件，其中，絕緣圖案選自于由氧化硅、氮化硅和氧化鋁組成的組。

9.一種制造功率器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成半絕緣GaN層；

在半絕緣GaN層上形成Al摻雜GaN層；

在Al摻雜GaN層上形成第一氮化物層；

在第一氮化物層上形成第二氮化物層；

在第一氮化物層上形成源電極圖案和漏電極圖案；以及

在第二氮化物層上形成柵電極圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在形成第一氮化物層之后，通過在柵電極圖案的下部上再生長氮化物來形成第二氮化物層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在形成第一氮化物層之后，通過蝕刻除了柵電極圖案的下部之外的部分來形成第二氮化物層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一氮化物層包括實(shí)驗(yàn)式1的材料：

[實(shí)驗(yàn)式1]

Al_xIn_yGa_1-xN，

其中，0.1≤x≤1和0≤y≤0.3。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二氮化物層包括與第一氮化物層的材料相同的材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二氮化物層包括與用p型材料摻雜的第一氮化物層的材料對(duì)應(yīng)的材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)式1中x在0.1≤x≤0.5的范圍內(nèi)且y是0時(shí)，第二氮化物層的厚度在20nm至70nm的范圍內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，當(dāng)在實(shí)驗(yàn)式1中x是1且y是0時(shí)，第二氮化物層的厚度在2nm至7nm的范圍內(nèi)。