[發(fā)明專利]RF LDMOS中改善漏電的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210180119.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN103035529A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遇寒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種RF?LDMOS中改善漏電的方法，其特征在于，包括步驟：

（1）在多晶硅柵極刻蝕形成后，在犧牲氧化層表面和多晶硅柵極的周圍，淀積第一氧化層；

（2）干法刻蝕淀積的第一氧化層，形成多晶硅柵極側(cè)墻；

（3）濕法去除柵極兩側(cè)的犧牲氧化層；

（4）進(jìn)行源漏注入及側(cè)墻工藝，完成RF?LDMOS的制作。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，多晶硅柵極的周圍包括：多晶硅柵極兩側(cè)面和多晶硅柵極表面；

淀積的方法，包括：低壓化學(xué)氣相淀積。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，第一氧化層，包括：氧化硅層。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，第一氧化層的厚度為200～500埃。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，側(cè)墻的厚度為150～400埃。