[發(fā)明專利]偽晶型高電子遷移率晶體管和異質(zhì)接面雙極晶體管磊晶改良結構及其加工方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210179870.0
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN103456780A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 蔡緒孝;林正國;洪秉杉;高谷信一郎
• 申請（專利權）人: 穩(wěn)懋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/10;H01L27/06;H01L21/335;H01L21/8248
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，包括有：

一基板；

一緩沖層，形成于該基板之上；

一能障層，形成于該緩沖層之上；

一第一通道間格層，形成于該能障層之上；

一通道層，形成于該第一通道間格層之上；

一第二通道間格層，形成于該通道層之上；

一蕭基能障層，形成于該第二通道間格層之上；

一蝕刻終止層，形成于該蕭基能障層之上；

至少一覆蓋層，形成于該蝕刻終止層之上；

一柵極凹槽，先經(jīng)由至少一道蝕刻加工，而蝕刻終止于該蕭基能障層上方所形成的凹槽；

一柵極電極，設置于該柵極凹槽內(nèi)，該蕭基能障層之上；

一漏極電極，設置于該覆蓋層的一端上；以及

一源極電極，設置于該覆蓋層的另一端上。

2.根據(jù)權利要求1所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，構成該通道層的材料為砷化銦鎵的合金化合物半導體，且該砷化銦鎵中的銦含量x大于0小于0.5。

3.根據(jù)權利要求1所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，該通道層的厚度在大于小于之間。

4.根據(jù)權利要求1所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，構成該第一通道間格層及該第二通道間格層的材料為砷化鎵。

5.根據(jù)權利要求1所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，該第一通道間格層及該第二通道間格層的厚度在大于小于之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，于該覆蓋層之上，更設置至少一上層覆蓋迭加層，使該上層覆蓋迭加層介于該覆蓋層與該漏極電極以及該源極電極之間，且其中該上層覆蓋迭加層的結構包括有：

至少一迭加覆蓋層，藉此形成該上層覆蓋迭加層。

7.根據(jù)權利要求6所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構，其特征在于，于該上層覆蓋迭加層的結構，更設置一迭加蝕刻終止層于該迭加覆蓋層之下，使該上層覆蓋迭加層的結構包括有：

該迭加蝕刻終止層；以及

該迭加覆蓋層，形成于該迭加蝕刻終止層之上，藉此形成該上層覆蓋迭加層。

8.一種偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

于一基板上，依序形成一緩沖層、一能障層、一第一通道間格層、一通道層、一第二通道間格層、一蕭基能障層、一蝕刻終止層以及至少一覆蓋層；

以曝光顯影技術劃定一柵極凹槽區(qū)，先對該覆蓋層進行蝕刻，使蝕刻終止于該蝕刻終止層；再對該蝕刻終止層進行蝕刻，使蝕刻終止于該蕭基能障層，而形成一柵極凹槽；以及

于該柵極凹槽內(nèi)，該蕭基能障層之上，鍍上一柵極電極，并使該柵極電極與該蕭基能障層形成蕭基接觸。

9.根據(jù)權利要求8所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構的加工方法，其特征在于，構成該通道層的材料為砷化銦鎵的合金化合物半導體，且該砷化銦鎵中的銦含量x在大于0小于0.5之間。

10.根據(jù)權利要求8所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構的加工方法，其特征在于，該通道層的厚度大于小于

11.根據(jù)權利要求8所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構的加工方法，其特征在于，構成該第一通道間格層及該第二通道間格層的材料為砷化鎵者。

12.根據(jù)權利要求8所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構的加工方法，其特征在于，該第一通道間格層及該第二通道間格層的厚度大于小于

13.根據(jù)權利要求8所述的偽晶型高電子遷移率晶體管改良結構的加工方法，其特征在于，更于該覆蓋層的一端上，鍍上一漏極電極，并使該漏極電極與該覆蓋層形成歐姆接觸；且更于該覆蓋層的另一端上，鍍上一源極電極，并使該源極電極與該覆蓋層形成歐姆接觸。