[發明專利]堿金屬銣化合物作為緩沖層或電子注入層的有機半導體器件

無效

• 申請號: 201210179120.3
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN102709475A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 李傳南;張健;崔國宇;高志楊;劉川;趙毅
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/52;H01L51/44
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種有機半導體器件，其特征在于：以Rb化合物作為有機半導體器件的陰極緩沖層材料，該陰極緩沖層處于有機半導體器件的有機層和陰極之間。

2.一種有機半導體器件，其特征在于：以作為N型摻雜劑的Rb化合物和有機材料共摻雜作為電子注入層材料，該電子注入層處于有機半導體器件的有機層和陰極之間。

3.如權利要求1或2所述的一種有機半導體器件，其特征在于：有機半導體器件為有機發光器件、有機太陽能電池或有機薄膜晶體管。

4.如權利要求3所述的一種有機半導體器件，其特征在于：Rb的化合物為RbBr，Rb₂CO₃，Rb₂SO₄，RbOH，RbNO₃，RbClO₄，RbCl，RbI或RbF。

5.如權利要求4所述的一種有機半導體器件，其特征在于：器件的結構為ITO玻璃/NPB/Alq₃/RbBr/Al，其中NPB作為空穴傳輸層材料，Alq₃作為電子傳輸層和發光層材料，RbBr作為陰極緩沖層材料。

6.如權利要求5所述的一種有機半導體器件，其特征在于：NPB的厚度為60nm，Alq₃和RbBr的厚度和為60nm，其中RbBr的厚度為2~8nm。

7.如權利要求4所述的一種有機半導體器件，其特征在于：器件的結構為ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/RbBr：Alq₃/Al，其中MoO₃作為空穴注入層材料，NPB作為空穴傳輸層材料，Alq₃作為電子傳輸層和發光層材料，Alq₃：RbBr共摻雜作為電子注入層材料。

8.如權利要求7所述的一種有機半導體器件，其特征在于：MoO₃的厚度為8nm，NPB的厚度為50nm，Alq₃的厚度為50nm，RbBr：Alq₃共摻雜的厚度為10nm，其中RbBr的摻雜體積濃度為2~8%。