[發(fā)明專利]一種LED芯片的鍵合方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210179068.1
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102709204A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬遠(yuǎn)濤;張昊翔;封飛飛;金豫浙;高耀輝;李東昇;江忠永
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED芯片的鍵合方法，其特征在于，包括步驟：

提供一轉(zhuǎn)移襯底和一異質(zhì)襯底氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在所述轉(zhuǎn)移襯底上生長第一金屬層，在所述異質(zhì)襯底氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上生長第二金屬層，其中，所述第一金屬層、或所述第二金屬層、或者所述第一金屬層和所述第二金屬層均形成有凹槽；

所述的第一金屬層和第二金屬層通過鍵合方法形成第三金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述凹槽的形成方法為濕法腐蝕、干法刻蝕、納米壓印、剝離中的任何一種或者幾種方法的組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：形成所述凹槽的俯視形狀為圓形、弧形、矩形、規(guī)則多邊形或者不規(guī)則多邊形的一種或者多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述凹槽的俯視形狀為圓形，圓形的直徑為0.1μm-100μm，相鄰凹槽的間隔為0.1μm-150μm，凹槽的深度為0.1μm-2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述凹槽的俯視形狀為矩形，矩形的長為0.1μm-100μm，矩形的寬為0.1μm-100μm，相鄰凹槽的間隔為0.1μm-150μm，凹槽的深度為0.1μm-2μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述轉(zhuǎn)移襯底使用的材料為砷化鎵、氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁家、玻璃、氧化鋅、硅或者鋁與硅兩種材料的合金，或銅、鉬、鎢、鎳四種金屬中至少兩種金屬的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述的第一金屬層和第二金屬層使用的材料為金、錫、鉑、鎳、鈦、鋁、銀、鈀、鉛、銦中的一種或者多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述的第一金屬層和第二金屬層分別采用蒸發(fā)、濺射、電鍍或者噴涂的方法形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述鍵合方法為熱壓鍵合、熱聲鍵合、超聲鍵合中的任意一種方法或者兩種方法。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的鍵合方法，其特征在于：所述LED芯片的結(jié)構(gòu)為垂直結(jié)構(gòu)、倒裝結(jié)構(gòu)或平面結(jié)構(gòu)中的一種。