[發明專利]一種多晶硅鑄錠爐的冷卻方法及冷卻裝置

無效

• 申請號: 201210178791.8
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN102732961A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 樊海艷
• 申請（專利權）人: 沈陽森之洋光伏科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 俞魯江

1.一種多晶硅鑄錠爐的冷卻方法，基于現有加熱籠結構的鑄錠爐，其特征在于：

將鑄錠爐內的隔熱籠結構進行改進；

第一步，首先在鑄錠爐的隔熱籠內增設一隔溫門，然后將隔熱籠內形成兩個封閉的腔室；

第二步，然后其中一個腔室內設有用于熔化硅料的坩堝及加熱裝置；

第三步，最后在另一個腔室內設置有換熱裝置，通過打開隔溫門對坩堝均勻降溫，實現晶硅均勻生長。

2.按權利要求1所述的方法，其特征在于：

上述第一步中隔熱門為為兩個門扇或兩個門扇以上的對開隔溫門。

3.按權利要求1所述的方法，其特征在于：

上述第一步中隔溫門為兩兩對開門扇時，每個門扇可以水平滑動打開，通過控制每個門扇的開合度以及開合時間，實現控制冷卻氣體傳入量的多少；最終控制坩堝內熔化后原料的降溫速度及降溫均勻度。

4.按權利要求1所述的方法，其特征在于：

上述第一步中隔溫門根據熔化后原料對降溫均勻度及對原料降溫速度的要求，將隔熱門設置為三個門扇、四個門扇或者更多個門扇的對開隔溫門。

5.按權利要求1所述的方法，其特征在于：

上述第一步中隔溫門打開后，開口處可以形成長方形、正方形、圓形或者其他不規則幾何圖形。

6.一種用于多晶硅鑄錠爐的冷卻裝置，基于現有雙腔結構的鑄錠爐，其特征在于：

將加熱籠內設置有一隔溫門，該隔溫門將加熱籠分為上下兩個腔室；

所述上腔室為加熱室，于上腔室內頂部設有上加熱器，中部設有坩堝，下部設有下加熱器，用于對坩堝內的硅料快速熔化；

所述下腔室為制冷室，于下腔室內底部設有換熱裝置，用于對坩堝勻速、均勻降溫，以便實現多晶硅均勻定向生長。

7.按權利要求6所述的制冷裝置，其特征在于：

所述上腔室內設置有一定向溫度傳導裝置，所述定向溫度傳導裝置設置于坩堝和下加熱器之間；

首先關閉隔溫門，上、下加熱器同時加熱坩堝內的硅料；

然后打開隔溫門連通換熱裝置，并通過控制上、下加熱器的功率和隔溫門的開關速度、開口距離，使硅料底部溫度下降形成溫度梯度，控制晶硅生長的速度。

8.按權利要求6所述的制冷裝置，其特征在于：

所述隔溫門為至少兩個門扇或者兩個門扇以上的對開隔溫門；

所述隔溫門貫穿隔熱籠側壁與驅動電機連接，所述隔溫門通過驅動電機驅動與隔熱籠側壁滑動配合連接。

9.按權利要求6所述的制冷裝置，其特征在于：

所述隔溫門為多個對開門扇，每對對開門扇為一層，多對門扇可以形成兩層、三層或多層結構，當兩個門扇對接后，由下層門扇封閉上層對接處的間隙，確保隔溫性能。

10.按權利要求6所述的制冷裝置，其特征在于：所述隔溫門的材質為固化碳纖維；所述換熱裝置采用水冷換熱盤。