[發(fā)明專利]顯示裝置和顯示裝置的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210178442.6
• 申請(qǐng)日: 2012-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102809812A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 新田秀和;大倉(cāng)理;海東拓生;松本克巳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立顯示器
• 主分類號(hào): G02B26/02
• 分類號(hào): G02B26/02;G09G3/34
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種顯示裝置，其特征在于：

具有包括第一基板和第二基板的顯示面板，

所述顯示面板具有多個(gè)像素，

所述各像素具有包含非晶硅的可動(dòng)快門(mén)，和驅(qū)動(dòng)所述可動(dòng)快門(mén)的驅(qū)動(dòng)電路，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅由至少2個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，當(dāng)令所述至少2個(gè)非晶硅膜中彼此鄰接的2個(gè)非晶硅膜為第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜時(shí)，所述第一非晶硅膜與所述第二非晶硅膜的特性值不同。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜這2個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率高。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜這2個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率低。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上層疊的所述第二非晶硅膜這2個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值低。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜和層疊在所述第一非晶硅膜上層疊的所述第二非晶硅膜這2個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值高。

6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一和第三非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率高。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一和第三非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率低。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一和第三非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值低。

9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)形成在所述第二基板上，

所述可動(dòng)快門(mén)的所述非晶硅，由從所述第二基板一側(cè)起的所述第一非晶硅膜、層疊在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和層疊在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜這3個(gè)非晶硅膜構(gòu)成，

所述第一和第三非晶硅膜的表面電阻值比所述第二非晶硅膜的表面電阻值高。

10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)具有形成在與所述第一基板相對(duì)的一側(cè)的面上的金屬層。

11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

所述可動(dòng)快門(mén)包括：

遮蔽部；

與所述遮蔽部連接的彈簧部；和

與所述彈簧部連接的錨固部，

所述錨固部固定在所述第二基板上，支承所述遮蔽部和所述彈簧部。