[發(fā)明專利]接觸孔硅凹槽蝕刻方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210178248.8 | 申請日： | 2012-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN103456676A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁佳 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接觸 凹槽 蝕刻 方法 | ||
1.一種接觸孔硅凹槽蝕刻方法，包括下列步驟：
提供以光刻膠為掩膜，蝕刻層間介質(zhì)形成接觸孔的圓片；
去除所述光刻膠；
以層間介質(zhì)表面的氧化層作為掩膜，進(jìn)行接觸孔硅凹槽蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述提供以光刻膠為掩膜，蝕刻層間介質(zhì)形成接觸孔的圓片的步驟是：
淀積所述層間介質(zhì)；
在所述層間介質(zhì)上形成所述光刻膠；
以所述光刻膠為掩膜對所述層間介質(zhì)進(jìn)行蝕刻，形成所述接觸孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述對所述層間介質(zhì)進(jìn)行蝕刻是采用干法蝕刻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠的步驟中，所述圓片上因?qū)娱g介質(zhì)蝕刻產(chǎn)生的聚合物被一并去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述以層間介質(zhì)表面的氧化層作為掩膜，進(jìn)行接觸孔硅凹槽蝕刻的步驟后還包括進(jìn)行蝕刻清潔的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠的步驟包括先進(jìn)行干法去膠，再進(jìn)行濕法去膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述接觸孔硅凹槽蝕刻為干法蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述干法蝕刻中的等離子源包括六氟化硫。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接觸孔硅凹槽蝕刻方法，其特征在于，所述干法蝕刻中的等離子源不包括四氟化碳。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
