[發明專利]半導體器件和使用引線框本體形成開口的方法

有效

• 申請號: 201210177983.7
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN102810507B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: H.基;N.仇;H.辛
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/495;H01L23/52
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬永利,李浩

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供載體，其具有從載體延伸的多個本體；

將第一半導體管芯安裝到本體之間的載體；

將密封劑沉積在第一半導體管芯和載體上方以及載體的本體周圍；

移除載體的本體上方的密封劑的一部分，從而形成露出本體的密封劑中的第一開口；

將互連結構形成于密封劑上方并且延伸到第一開口中到達載體的本體；以及

移除載體和本體，以形成與先前由本體占據的空間對應的密封劑中的第二開口從而露出互連結構。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

提供第二半導體管芯，該第二半導體管芯具有在第二半導體管芯的表面上方形成的多個凸塊；以及

在第一半導體管芯上方安裝第二半導體管芯，凸塊延伸到密封劑的第二開口中從而電連接到互連結構。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括形成穿過第一半導體管芯的多個導電通孔。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

提供第二半導體管芯；

在第一半導體管芯上方安裝第二半導體管芯；

提供第三半導體管芯，該第三半導體管芯具有在第二半導體管芯的表面上方形成的多個凸塊；以及

在第一和第二半導體管芯上方安裝第三半導體管芯，凸塊延伸到密封劑的第二開口中從而電連接到互連結構。

5.如權利要求1所述的方法，進一步包括在第一半導體管芯上方形成散熱器或屏蔽層。

6.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供載體，該載體具有從載體延伸的多個本體；

將第一半導體管芯安裝到本體之間的載體；

將密封劑沉積在第一半導體管芯和載體上方以及載體的本體周圍；

將互連結構形成于密封劑上方并且延伸到載體的本體；以及

移除載體和本體，以形成與先前由本體占據的空間對應的密封劑中的第一開口從而露出互連結構。

7.如權利要求6所述的方法，進一步包括移除載體的本體上方的密封劑的一部分，從而形成露出載體的本體的密封劑中的第二開口。

8.如權利要求6所述的方法，進一步包括：

提供第二半導體管芯，該第二半導體管芯具有在第二半導體管芯的表面上方形成的多個凸塊；以及

在第一半導體管芯上方安裝第二半導體管芯，凸塊延伸到密封劑的第一開口中從而電連接到互連結構。

9.如權利要求6所述的方法，進一步包括形成穿過第一半導體管芯的多個導電通孔。

10.如權利要求6所述的方法，進一步包括：

提供第二半導體管芯；

在第一半導體管芯上方安裝第二半導體管芯；

提供第三半導體管芯，該第三半導體管芯具有在第二半導體管芯的表面上方形成的多個凸塊；以及

在第一和第二半導體管芯上方安裝第三半導體管芯，凸塊延伸到密封劑的第一開口中從而電連接到互連結構。

11.如權利要求6所述的方法，進一步包括在第一半導體管芯上方形成多個凸塊。

12.一種半導體器件，包括：

載體，其具有從載體延伸的多個本體；

第一半導體管芯，其安裝到本體之間的載體；

密封劑，其沉積在第一半導體管芯和載體上方以及載體的本體周圍；以及

互連結構，其形成在密封劑上方并且延伸到載體的本體，其中載體和本體被移除以形成與先前由本體占據的空間對應的密封劑中的開口從而露出互連結構。

13.如權利要求12所述的半導體器件，進一步包括第二半導體管芯，該第二半導體管芯具有在第二半導體管芯的表面上方形成的多個凸塊，第二半導體管芯安裝在第一半導體管芯上方，凸塊延伸到密封劑的開口中從而電連接到互連結構。

14.如權利要求12所述的半導體器件，進一步包括形成穿過第一半導體管芯的多個導電通孔。

15.如權利要求12所述的半導體器件，進一步包括：

第二半導體管芯，其安裝在第一半導體管芯上方；以及

第三半導體管芯，其具有在第二半導體管芯的表面上方形成的多個凸塊，第三半導體管芯安裝在第一和第二半導體管芯上方，凸塊延伸到密封劑的開口中從而電連接到互連結構。