[發明專利]一種磷硅玻璃和多晶硅厚度的在線同步測試裝置

有效

• 申請號: 201210177975.2
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102701146A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 劉海韻;黃慶安;周再發
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: B81C99/00
• 分類號: B81C99/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種磷硅玻璃和多晶硅厚度的在線同步測試裝置，其特征在于，該測試裝置包括絕緣襯底（6）、以及固定于絕緣襯底（6）頂面的第一測試單元（1）、第二測試單元（2）和第三測試單元（3）三個測試單元，其中，

每個測試單元包括磷硅玻璃層（4）和四探針多晶硅電阻測試橋（5），四探針多晶硅電阻測試橋（5）包括一根多晶硅電阻條（501）和連接在多晶硅電阻條（501）上的四個測試電極（502）；每個測試電極（502）中固定一金屬塊（503），磷硅玻璃層（4）固定于絕緣襯底頂面；磷硅玻璃層（4）被刻蝕成相互平行的凹槽（401），在凹槽（401）間形成臺階（402）；多晶硅電阻條（501）覆蓋在磷硅玻璃層（4）上，且多晶硅電阻條（501）爬越磷硅玻璃層（4）上的臺階（402）；

所述的第一測試單元（1）中，四探針多晶硅電阻測試橋（5）的數量為一個，多晶硅電阻條（501）與笛卡爾坐標系的X軸方向平行，且四探針多晶硅電阻測試橋（5）中的測試電極（502）位于磷硅玻璃層（4）上的臺階（402）的兩側；

所述的第二測試單元（2）中，四探針多晶硅電阻測試橋（5）的數量為兩個，兩個四探針多晶硅電阻測試橋共用兩個測試電極，其中，一個四探針多晶硅電阻測試橋中的多晶硅電阻條爬越磷硅玻璃層（4）上的臺階（402），另一個四探針多晶硅電阻測試橋中的多晶硅電阻條為平面；多晶硅電阻條（501）呈傾斜布置，且與笛卡爾坐標系的X軸之間形成β₁夾角，β₁大于0度小于90度；

所述的第三測試單元（3）中，四探針多晶硅電阻測試橋（5）的數量為兩個，兩個四探針多晶硅電阻測試橋共用兩個測試電極，其中，一個四探針多晶硅電阻測試橋中的多晶硅電阻條爬越磷硅玻璃層（4）上的臺階（402），另一個四探針多晶硅電阻測試橋中的多晶硅電阻條為平面；多晶硅電阻條（501）呈傾斜布置，且與笛卡爾坐標系的X軸之間形成β₂夾角，β₂大于0度小于90度，且β₂與β₁不相等。