[發明專利]處理基板的設備

有效

• 申請號: 201210177708.5
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102810447A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 文商玟;金斗淳;梁大賢
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.處理基板的設備，包括：

工藝腔室，所述工藝腔室中形成有空間；

卡盤，所述卡盤被放置在所述工藝腔室中并且支撐基板；

氣體供應單元，所述氣體供應單元將反應氣體供應到所述工藝腔室內；

上電極，所述上電極被放置在所述卡盤上方并且向所述反應氣體施加高頻功率；和

加熱器，所述加熱器安裝在所述上電極中并且加熱所述上電極。

2.根據權利要求1所述的處理基板的設備，進一步包括分配板，所述分配板被放置在所述上電極下方并且所述分配板中形成有允許所述反應氣體通過的分配孔。

3.根據權利要求1所述的處理基板的設備，其中所述加熱器嵌入在所述上電極中。

4.根據權利要求1所述的處理基板的設備，進一步包括：

第一上部電源，所述第一上部電源向所述上電極施加第一頻率功率；和

第二上部電源，所述第二上部電源向所述加熱器施加第二頻率功率。

5.根據權利要求4所述的處理基板的設備，進一步包括第一頻率阻隔濾波器，所述第一頻率阻隔濾波器在所述第一上部電源和所述上電極之間的部分與所述第一上部電源和所述上電極電連接，并阻止施加給所述上電極的第一頻率功率施加給所述第一上部電源。

6.根據權利要求4所述的處理基板的設備，其中所述第二頻率與所述第一頻率不同。

7.根據權利要求4所述的處理基板的設備，進一步包括第二頻率阻隔濾波器，所述第二頻率阻隔濾波器在所述第二上部電源和所述加熱器之間的部分與所述第二上部電源和所述加熱器電連接，并阻止施加給所述加熱器的第二頻率功率施加給所述第二上部電源。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的處理基板的設備，其中所述上電極包括：

上部板，所述上部板與所述第一上部電源電連接；和

下部板，所述下部板被放置在所述上部板下方，所述加熱器安裝在所述下部板中，并且所述下部板中形成有供應工藝氣體的氣體供應孔。

9.根據權利要求8所述的處理基板的設備，其中所述下部板包括：

中央區域，所述中央區域中形成有所述氣體供應孔；和

邊緣區域，所述邊緣區域圍繞所述中央區域，

其中所述加熱器被提供在所述邊緣區域中并且圍繞所述中央區域。

10.根據權利要求3至7中任一項所述的處理基板的設備，其中所述第一頻率功率具有大約13.56MHz到大約100MHz的頻率范圍，并且所述第二頻率功率具有大約60Hz的頻率。

11.根據權利要求3至7中任一項所述的處理基板的設備，進一步包括：

下電極，所述下電極安裝在所述卡盤中；

第一下部電源，所述第一下部電源產生與所述第一頻率功率相同的頻率功率；

第二下部電源，所述第二下部電源產生比所述第一頻率功率低的頻率功率；和

匹配單元，所述匹配單元將所述第一下部電源產生的頻率功率與所述第二下部電源產生的頻率功率匹配，并將匹配后的頻率功率施加給所述下電極。

12.根據權利要求11所述的處理基板的設備，其中所述第一下部電源產生大約100MHz的頻率功率并且所述第二下部電源產生大約2MHz的頻率功率。