[發明專利]電阻變化型存儲器件和電阻變化型存儲器件的操作方法

有效

• 申請號: 201210177142.6
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102831928B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 北川真
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種電阻變化型存儲器件，所述電阻變化型存儲器件包括：

位線；

電壓供給層；

存儲元件，所述存儲元件連接于所述位線和所述電壓供給層之間，所述存儲元件的電阻值根據施加的電壓而變化；以及

驅動控制電路，所述驅動控制電路使第一電流流過所述位線并且使小于所述第一電流的第二電流流過所述位線，從而通過利用所述第二電流對使得所述存儲元件從高電阻狀態變為低電阻狀態的電阻降低操作進行控制。

2.根據權利要求1所述的電阻變化型存儲器件，其中，所述驅動控制電路包括：

初始電流驅動部，所述初始電流驅動部與所述位線相連并且使所述第一電流流動；以及

元件電流控制部，所述元件電流控制部與用于所述位線的所述初始電流驅動部并聯連接并且控制所述第二電流，

對所述初始電流驅動部和所述元件電流控制部進行控制，從而令流過所述位線的電流從所述第一電流切換至所述第二電流。

3.根據權利要求2所述的電阻變化型存儲器件，其中，

所述初始電流驅動部設置有第一晶體管，所述第一晶體管連接于基準電壓的供給線與所述位線之間，并且

所述元件電流控制部設置有第二晶體管，所述第二晶體管連接于所述基準電壓的供給線與所述位線之間。

4.根據權利要求3所述的電阻變化型存儲器件，其中，所述第一晶體管的驅動力大于所述第二晶體管的驅動力。

5.根據權利要求3所述的電阻變化型存儲器件，其中，所述第一晶體管被這樣的電壓驅動：該電壓的峰值比向所述第二晶體管輸入控制脈沖以控制元件電流時的所述控制脈沖的峰值大。

6.根據權利要求3～5中任一項所述的電阻變化型存儲器件，其中，所述驅動控制電路包括：

第三晶體管，所述第三晶體管將所述位線的電位初始設定至與所述電壓供給線的電位相同的電位；

第四晶體管，所述第四晶體管被所述第三晶體管反向驅動，從而在初始設定期間將所述第一晶體管和所述第二晶體管與所述位線斷開連接，并且在所述初始設定之后將所述第一晶體管和所述第二晶體管連接至所述位線；以及

控制電路，所述控制電路對所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管的導通和非導通進行控制。

7.根據權利要求6所述的電阻變化型存儲器件，其中，

所述第一晶體管和所述第二晶體管是并聯連接在基準電壓的供給線與所述第四晶體管之間的N溝道晶體管，

用于所述位線的初始設定的電壓是高于所述基準電壓的正電壓，

所述第三晶體管是P溝道晶體管，并且

所述第四晶體管是根據與用于所述第三晶體管的信號相同的信號受到控制的N溝道晶體管。

8.根據權利要求6所述的電阻變化型存儲器件，其中，

所述第一晶體管和所述第二晶體管是并聯連接在具有比所述基準電壓更高的正電壓的供給線與所述第四晶體管之間的P溝道晶體管，

用于所述位線的初始設定的電壓是所述基準電壓，

所述第三晶體管是N溝道晶體管，并且

所述第四晶體管是根據與用于所述第三晶體管的信號相同的信號受到控制的P溝道晶體管。

9.根據權利要求1所述的電阻變化型存儲器件，其中，所述驅動控制電路包括：

電流控制晶體管，所述電流控制晶體管與所述位線相連并且導致所述第一電流或所述第二電流流動；以及

控制電路，所述控制電路控制所述電流控制晶體管的控制節點處的電位，從而將所述電流控制晶體管所導致流動的電流從所述第一電流切換至所述第二電流。

10.一種電阻變化型存儲器件的操作方法，所述操作方法包括以下步驟：

在使得存儲元件從高電阻狀態向低電阻狀態轉變的電阻降低操作期間令第一電流流過位線，所述存儲元件連接于所述位線與電壓供給層之間，并且所述存儲元件的電阻值根據施加的電壓而變化；并且

令小于所述第一電流的第二電流流過所述位線，從而控制所述存儲元件的所述電阻降低操作。