[發明專利]一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料及其制備方法

有效

• 申請號: 201210176269.6
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102862002A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 黃繼華;牛志偉;羊浩;陳樹海;王奇;李德華
• 申請（專利權）人: 北京科技大學;珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: B23K35/28
• 分類號: B23K35/28;B23K35/40
• 代理公司: 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401
• 代理人: 皋吉甫

1.一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料，其特征是成分質量百分比為：Si?4~8%、Zn?15~28%、Ge?8~25%、Ni?0~3%，余量為Al。

2.根據權利要求1所述的Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料，其特征在于：釬料成分質量比為：Si?4~8%、Zn?15~28%、Ge?8~25%、Ni?0~3%，Sr?0.01~0.05%，余量為Al。

3.如權利要求1或2所述的Al-Si-Zn-Ge系低熔點鋁基釬料的制備方法，其特征在于：制備步驟如下：（1）根據用料配比稱取金屬原料；（2）在NaCl和KCl的熔鹽保護下熔煉Al-Si中間合金液，加入Ge獲得Al-Si-Ge中間合金，隨后加入Zn得到Al-Si-Zn-Ge合金；（3）加入Ni、Sr；（4）保溫30分鐘，每10分鐘攪拌一次，保證釬料合金成分均勻；（5）澆注成錠，經軋制、拉拔后制成箔片和絲。