[發明專利]一種取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201210176155.1
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102709435A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 陳昆男;許智源;王湘軍;戴世攀;周曉莉;方飛
• 申請（專利權）人: 東莞洲磊電子有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

技術領域

本發明公開了一種取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法，屬于LED芯片的制造技術領域。

背景技術

二、三元系芯片屬于低亮度LED芯片，比四元系芯片亮度低很多，然而應用范圍卻非常廣泛，不可缺少，市場需求量很大。生產二、三元系芯片的原、物料成本較高，生產的工藝過程較為復雜，人力成本、所使用的化學溶液和其他一些物料成本均比生產四元系芯片高。

目前，二、三元系芯片的外延片產地主要在日本，日幣又不斷的升值，致使二、三元系芯片的原、物料成本顯著增加。因此，研發一種新的產品以取代二、三元系芯片勢在必行。

發明內容

本發明的目的之一在于克服現有技術中的缺陷，提供了一種取代二、三元系芯片的四元系芯片，該四元系芯片與二、三元系芯片相比，大大節省了原、物料成本，同時也減少了原來生產二、三元芯片繁瑣的工藝過程。???

本發明的目的之二在于克服現有技術中的缺陷，提供一種取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，該工藝生產的四元系芯片可取代二、三元系芯片，且該制作方法簡單，生產效率高，適合大批量生產。

為了解決上述技術問題，本發明是通過以下技術方案實現的：

一種取代二、三元系芯片的四元系芯片，包括GaAs基板，GaAs基板的一面設有磊晶層；GaAs基板的另一面鍍有負極端；磊晶層上鍍有用于吸收光的吸光層，吸光層上沉積有等間距排列設置的正極端。

進一步，吸光層的厚度為大于0m，小于或者等于1×10^-7m。

進一步，吸光層為金屬薄膜層。

進一步，金屬薄膜層為Au薄膜層。

進一步，金屬薄膜層為Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe或者Cr薄膜層。

進一步，負極端為Au薄膜層。

進一步，正極端為在磊晶層上沉積的等間距排列的BeAu薄膜層及在BeAu薄膜層上沉積的Au薄膜層。

一種取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，其特征在于，分為兩個步驟，第一步，制造整片芯片，具體包括：?

（1）、在GaAs基板上磊晶，形成磊晶層，作為芯片的PN接面；

（2）、將GaAs基板的負極面進行研磨減薄；?

（3）、在研磨減薄后的GaAs基板的負極面沉積一層Au薄膜，作為芯片的負極端；

（4）、在磊晶層的上方，鍍一層用于遮擋磊晶層發出光線的吸光層；

（5）、在磊晶層上沉積等間距排列的BeAu薄膜層，再在BeAu薄膜層上沉積Au薄膜層，然后經過高溫蒸鍍，使Au薄膜層與BeAu薄膜層融合在一起，作為LED芯片的正極端；

第二步，分割芯片，具體包括：

（1）、用切割機的金剛石切刀半切芯片，形成切割道；

（2）、沿半切后的切割道將芯片徹底切割成一個個獨立的晶粒。

進一步，切割道的深度為25μm?至250μm。

進一步，切割道的深度為60μm。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明的一種取代二、三元系芯片的四元系芯片，在磊晶層上鍍吸光層，磊晶層發出的光線在通過吸光層時，一部分光線被吸光層吸收，只有一部分穿過吸光層，從而大大降低了芯片的亮度，從而達到替代二、三元系芯片的目的，其結構簡單，節省了人力、化學溶液和其他一些物料的成本，成本較低，制作方法簡單，生產效率較高，良品率高，適合大批量生產。

附圖說明

附圖用來提供對本發明的進一步理解，與本發明的實施例一起用于解釋本發明，并不構成對本發明的限制，在附圖中：

圖1是本發明的一種取代二、三元系芯片的四元系芯片的結構示意圖。

圖2是本發明的一種取代二、三元系芯片的四元系芯片的半切狀態示意圖。

圖3是本發明的一種取代二、三元系芯片的四元系芯片的全切狀態示意圖。

圖1中包括有以下部件：

1——負極端、

2——GaAs基板、

3——磊晶層、

4——吸光層、

5——正極端、

6——切割道。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本發明，并不用于限定本發明。