[發明專利]圖像傳感器裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 201210175361.0 | 申請日: | 2012-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103325798A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | V.奧加涅相 | 申請(專利權)人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬麗娜;劉春元 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器裝置,包括:
具有前和后相對表面的襯底;
形成在前表面處的多個光電探測器;
形成在前表面處的電耦合到光電探測器的多個接觸焊盤;
均形成在后表面之中和光電探測器之一的上方的多個腔體;
布置在腔體中的吸收補償材料,其中該吸收補償材料具有不同于襯底的那些的光吸收特性;
均布置在光電探測器之一的上方的多個濾色器;
其中該多個光電探測器被配置用于響應于通過濾色器的光入射而產生電信號。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,其中吸收補償材料在腔體中的深度變化以針對該多個光電探測器中的不同光電探測器提供變化的光吸收量。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器裝置,其中腔體的深度變化。
4.根據權利要求2所述的圖像傳感器裝置,其中:
該多個濾色器包括第一濾色器、第二濾色器和第三濾色器;
所述腔體被布置在第一濾色器和第二濾色器下面;
吸收補償材料在第一濾色器下面的深度大于吸收補償材料在第二濾色器下面的深度。
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器裝置,其中沒有腔體布置在第三濾色器下面。
6.根據權利要求5所述的圖像傳感器裝置,其中第一顏色是紅色,第二顏色是綠色以及第三顏色是藍色。
7.根據權利要求2所述的圖像傳感器裝置,其中:
該多個濾色器包括紅色濾光器、綠色濾光器和藍色濾光器;
所述腔體被布置在紅色濾光器和綠色濾光器下面;
吸收補償材料在紅色濾光器下面的深度大于吸收補償材料在綠色濾光器下面的深度。
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器裝置,其中沒有腔體布置在藍色濾光器下面。
9.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
均被布置在所述光電探測器之一上方的多個微透鏡。
10.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
均被布置在所述光電探測器中的多個的上方的多個微透鏡。
11.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
形成在前表面處用于將光電探測器電耦合到接觸焊盤的電路。
12.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括被布置在后表面上方并被安裝到襯底的第二襯底,其中該襯底對于至少一個范圍的光波長是光學透明的。
13.根據權利要求12所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
被安裝到第二襯底的透鏡組件,其中該透鏡組件包括至少一個透鏡,用于將光通過濾色器聚焦到光電探測器上。
14.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
多個孔,每一個孔從后表面延伸到接觸焊盤之一;
附著到前表面的支持器;
附著到支持器的主板,其中該主板包括多個接觸焊盤;以及
多個線,每個線從襯底的接觸焊盤之一、經過所述孔之一延伸到該主板的接觸焊盤之一。
15.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
多個孔,每個孔從后表面延伸到接觸焊盤之一;
多個導電跡線,每個導電跡線從接觸焊盤之一、沿所述孔之一的側壁并且在襯底的后表面上方延伸;以及
布置在后表面上方并且具有多個接觸焊盤的主板,其中襯底的每個接觸焊盤電連接到主板的接觸焊盤之一。
16.根據權利要求15所述的圖像傳感器裝置,其中該主板包括布置在光電探測器上方的孔口。
17.根據權利要求1所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
具有在其第一和第二表面之間延伸的直通孔的支持器,其中第一表面附著到前表面,使得每個孔與接觸焊盤之一對準;
每個孔在其中具有導電材料,所述導電材料通過該孔從該一個接觸焊盤延伸到第二表面。
18.根據權利要求17所述的圖像傳感器裝置,進一步包括:
多個SMT互連,其每一個在第二表面附著到所述孔之一的導電材料并與該導電材料電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





