1.?一種基于無掩?；叶裙饪痰淖兏叨任⒘鞯乐谱鞣椒?，其特征在于，包括以下步驟：

（1）清洗、涂膠：在清洗過的透明材料制成的基片上旋涂負光刻膠層；

（2）前烘：將旋涂好負光刻膠層的基片前烘；

（3）無掩模反面灰度光刻：將前烘后的基片上負光刻膠層朝下進行無掩模反面灰度光刻：將灰度圖片掩模導入無掩模光刻系統來控制投射至膠層的微縮光圖形的生成和光強分布，即紫外曝光波段以微縮光圖形的方式照射負光刻膠層，使負光刻膠層產生光化學反應而交聯固化；其中，灰度值大的區域投射的紫外光功率密度強，紫外光曝光波段照射覆蓋區域的負光刻膠固化所形成的微結構高度較高；灰度值小的區域投射的光功率密度弱，紫外光曝光波段照射覆蓋區域的負光刻膠固化所形成的微結構高度較低；經過紫外光曝光波段照射，負光刻膠形成與掩模圖片的灰度值相對應的顯模；

（4）曝后烘：將顯模進行曝后烘；

（5）顯影：將經曝后烘的顯模浸入到顯影液中，去除未被固化的負光刻膠，從而獲得帶有變高度微結構的陽模；

（6）硬烘：將得到的陽模硬烘；

（7）倒模：借助模塑法制作與陽模互補的帶有變高度微結構的聚合物基片；

（8）打孔、鍵合：將聚合物基片與載玻片鍵合，形成變高度微流道。

2.?根據權利要求1所述的一種基于無掩?；叶裙饪痰淖兏叨任⒘鞯乐谱鞣椒?，其特征在于，步驟（1）中，所述的透明材料為透明玻璃圓晶。

3.?根據權利要求1所述的一種基于無掩?；叶裙饪痰淖兏叨任⒘鞯乐谱鞣椒ǎ涮卣髟谟冢襟E（3）中，當制作大結構流道時，采用如下拼接曝光技術：灰度掩模圖片導入后，被自動分為N×M個子區域，N、M為自然數，N、M分別表示橫向、豎向子區域的數量,單個子區域的面積與單次曝光區域相等；并依次根據各個子區域內的圖形和灰度值分布對負光刻膠層進行紫外曝光，進而形成整個大結構流道的顯模。

4.?根據權利要求3所述的一種基于無掩模灰度光刻的變高度微流道制作方法，其特征在于：通過如下方式實現多個子區域的無縫拼接：相鄰子區域存在水平或豎直方向留有互相重疊的區域，重疊區域微結構高度的形成是由紫外光多次曝光疊加而成，灰度掩模圖片在拼接區域的曝光劑量等于正常曝光劑量的1/n，其中，n為重疊區域的照射次數；n次照射的曝光強度相等。

5.?根據權利要求1所述的一種基于無掩?；叶裙饪痰淖兏叨任⒘鞯乐谱鞣椒ǎ涮卣髟谟?，重疊區域的最小邊長為20像素。

6.?根據權利要求1所述的一種基于無掩?；叶裙饪痰淖兏叨任⒘鞯乐谱鞣椒ǎ涮卣髟谟?，步驟（7）中，所述的變高度微結構的聚合物基片采用聚二甲基硅氧烷。