[發(fā)明專利]處理基材的設備和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210175153.0 | 申請日: | 2012-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN102810499A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金炯俊 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 梁興龍;武玉琴 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 基材 設備 方法 | ||
1.一種處理基材的設備,所述設備包括:
裝載口,其上放置用于收容所述基材的容器;
用于處理所述基材的處理模塊;和
轉移模塊,包括用于在所述容器和所述處理模塊之間轉移所述基材的機械手,
其中所述處理模塊包括:
轉移室,包括用于轉移所述基材的機械手;
設置在所述轉移室和所述轉移模塊之間的裝載鎖閉室;
用于進行第一處理工藝的第一處理室,它與所述轉移模塊間隔開并且設置在所述轉移室周圍;和
用于進行第二處理工藝的第二處理室,它設置在所述轉移室周圍。
2.如權利要求1所述的設備,其中第二處理室設置在所述轉移室和所述轉移模塊之間。
3.如權利要求2所述的設備,其中第二處理室包括:
殼體,具有在面對所述轉移室的側面中的第一開口和在面對所述轉移模塊的側面中的第二開口;
用于打開或關閉第一開口的第一門;
用于打開或關閉第二開口的第二門;
用于使所述殼體的內部減壓的減壓件;
設置在所述殼體內以支撐所述基材的支撐件;和
用于加熱放置在所述支撐件上的基材的加熱件。
4.如權利要求2所述的設備,其中第二處理室包括:
殼體,具有面對所述轉移室的側面和另一擋住側,在所述側面中限定有第一開口;
用于打開或關閉第一開口的第一門;
設置在所述殼體內以支撐所述基材的支撐件;和
用于加熱放置在所述支撐件上的基材的加熱件。
5.如權利要求3或4所述的設備,其中第二處理室包括:
用于產生等離子體的等離子體源;和
用于將所產生的等離子體供應到所述殼體中的供應管。
6.如權利要求2所述的設備,其中所述裝載鎖閉室包括:
用于提供緩沖空間的殼體,所述殼體具有在面對所述轉移室的側面中的第一開口和在面對所述轉移模塊的側面中的第二開口;
用于打開或關閉第一開口的第一門;
用于打開或關閉第二開口的第二門;和
用于支撐所述基材以使所述基材設置在所述緩沖空間中的至少一個狹槽。
7.如權利要求2所述的設備,其中所述裝載鎖閉室和第二處理室彼此疊置。
8.如權利要求7所述的設備,其中第二處理室設置在所述裝載鎖閉室下方。
9.如權利要求2所述的設備,其中第二處理室包括:
殼體,它設置在所述裝載鎖閉室下方;
等離子體源,它設置在所述裝載鎖閉室上方,用于產生等離子體;和
供應管,它設置在所述裝載鎖閉室的外壁上,用于將所產生的等離子體供應到所述殼體中。
10.如權利要求2所述的設備,其中所述處理模塊包括多個第二處理室。
11.如權利要求10所述的設備,其中所述多個第二處理室中的每一個包括:
殼體;
用于產生等離子體的等離子體源;和
用于將所產生的等離子體供應到所述殼體中的供應管。
12.如權利要求10所述的設備,其中所述處理模塊包括:
用于產生等離子體的等離子體源;和
用于將所產生的等離子體供應到多個第二處理室中的每一個的殼體中的供應管,
其中所述供應管與所述等離子體源連接并分支到所述多個第二處理室中,閥門設置在每個分支的供應管中。
13.如權利要求10所述的設備,其中所述多個第二處理室彼此疊置。
14.如權利要求10所述的設備,其中所述多個第二處理室在橫向上平行設置。
15.如權利要求1所述的設備,其中第二處理室與第一處理室疊置。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





