[發明專利]加熱裝置、涂敷裝置及加熱方法

在審

• 申請號: 201210175124.4
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102810498A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 宮本英典;佐保田勉
• 申請（專利權）人: 東京應化工業株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18;B05C9/14
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

技術領域

本發明涉及加熱裝置、涂敷裝置及加熱方法。

本申請基于2011年6月2日在美國申請的臨時專利申請第61/492627號而主張優先權，并將其內容引用于此。

背景技術

使用半導體材料的CIGS型太陽能電池或CZTS型太陽能電池作為具有高變換效率的太陽能電池而受到注目，所述半導體材料包含Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及它們的組合等金屬和S、Se、Te及它們的組合等硫族元素(例如參照專利文獻1～專利文獻3)。

CIGS型太陽能電池例如使用由上述Cu、In、Ga、Se這四種半導體材料構成的膜來作為光吸收層(光電變換層)。另外，CZTS型太陽能電池例如使用由Cu、Zn、Sn、Se這四種半導體材料構成的膜來作為光吸收層(光電變換層)。作為這樣的太陽能電池的結構，例如公知有如下的結構：在由玻璃等構成的基板上設置由鉬等構成的背面電極，并在該背面電極上配置上述光吸收層。

CIGS型太陽能電池或CZTS型太陽能電池與現有型的太陽能電池相比，能夠減薄光吸收層的厚度，因此容易向曲面上設置或搬運。因此，被期待作為高性能的柔性太陽能電池而應用于廣泛的領域。作為形成光吸收層的方法，以往例如公知有使用蒸鍍法或濺射法等來形成的方法(例如，參照專利文獻2～專利文獻5)。

【專利文獻1】日本特開平11-340482號公報

【專利文獻2】日本特開2005-51224號公報

【專利文獻3】日本特表2009-537997號公報

【專利文獻4】日本特開平1-231313號公報

【專利文獻5】日本特開平11-273783號公報

相對于此，本發明者提出將上述半導體材料以液狀體涂敷在基板上的方法來作為形成光吸收層的方法。在通過液狀體的涂敷來形成光吸收層的情況下，列舉有以下的問題。

在涂敷了液狀體后，進行加熱涂敷膜的燒成工序。該燒成工序由于對涂敷膜的作為光吸收層的特性帶來影響，因此需要在最適合的條件下進行加熱。為了形成具有所期望的特性的涂敷膜，需要能夠調整加熱條件的結構。

發明內容

本發明鑒于上述的情況，其目的在于提供一種能夠形成具有所期望的特性的涂敷膜的加熱裝置、涂敷裝置及加熱方法。

本發明的第一方式的加熱裝置具備：第一加熱部及第二加熱部，它們在涂敷膜的膜厚方向上夾著配置具有所述涂敷膜的基板的基板位置；距離調整部，其對所述基板位置與所述第一加熱部的第一距離及所述基板位置與所述第二加熱部的第二距離中的至少一方進行調整。

根據本發明，由于具備：第一加熱部及第二加熱部，它們在涂敷膜的膜厚方向上夾著配置具有涂敷膜的基板的基板位置；距離調整部，其對基板位置與第一加熱部的第一距離及基板位置與第二加熱部的第二距離中的至少一方進行調整，因此，通過調整基板位置與第一加熱部及第二加熱部的距離，能夠調整對涂敷膜的加熱條件。由此，能夠形成具有所期望的特性的涂敷膜。

在上述的加熱裝置中，所述距離調整部具有使所述第一加熱部及所述第二加熱部中的至少一方在所述膜厚方向上移動的移動部。

根據本發明，由于能夠使第一加熱部及第二加熱部中的至少一方在膜厚方向上移動，因此能夠靈活地變更加熱條件。

在上述的加熱裝置中，所述第一加熱部及所述第二加熱部在鉛直方向上排列配置。

根據本發明，由于第一加熱部及第二加熱部在鉛直方向上排列配置，因此容易將基板配置在第一加熱部與第二加熱部之間。

上述的加熱裝置還具備對在所述基板位置上配置的所述基板進行保持的基板保持部。

根據本發明，由于具備對在基板位置上配置的基板進行保持的基板保持部，因此能夠在基板的位置或姿勢穩定的狀態下進行涂敷膜的加熱。

在上述的加熱裝置中，所述第一加熱部及所述第二加熱部中的相對于所述基板位置配置于鉛直方向的下側的一方的加熱部兼作所述基板保持部。

根據本發明，由于第一加熱部及第二加熱部中的相對于基板位置配置于鉛直方向的下側的一方的加熱部兼作基板保持部，因此與另行配置基板保持部的情況相比，能夠實現省空間化。

在上述的加熱裝置中，所述距離調整部對所述第一距離及所述第二距離中的至少一方進行調整，以使所述第一加熱部及所述第二加熱部中的相對于所述基板位置配置在鉛直方向的上側的另一方的加熱部不與所述涂敷膜接觸。